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內存世代即將來到DDR5的時代

2017-10-26 14:38:06

內存帶寬與密度都比目前DDR4更高2倍的DDR5內存接口芯片面市了,預計最快在2019年量產,為服務器的主存儲器帶來更高效能與功率管理。
 
近期,Rambus宣布在其實驗室中開發(fā)出DDR5的可用芯片——DDR5是動態(tài)隨機存取內存(DRAM)雙列直插式內存模塊(DIMM)的下一代重要接口。預計從2019年開始,暫存頻率驅動器與數(shù)據(jù)緩沖器可望有助于為服務器倍增主存儲器的傳輸速率,而且也引發(fā)了對于未來運算的爭論。

美國聯(lián)合電子設備工程委員會(JEDEC)標準組織計劃在明年6月之前宣布以DDR5規(guī)格作為下一代服務器的默認內存接口。然而,有些分析師指出,DDR5出現(xiàn)的時機,將會在持久型內存(即儲存級內存)、新式計算機架構與芯片堆棧等均陸續(xù)更新替代方案之際。

Rambus產品營銷副總裁Hemant Dhulla表示:“據(jù)我們所知,這是至今第一個在實驗室中開發(fā)出實際可行的DDR5 DIMM芯片組,預計可在2019年量產。我們希望率先使其上市,并協(xié)助我們的合作伙伴推出該技術。”

DDR5預計可支持高達6.4Gbits/s的資料率,傳輸帶寬最高達51.2 GBytes/s,分別較目前的DDR4支持的3.2Gbits數(shù)據(jù)率與25.6GBytes/s傳輸帶寬提高一倍。升級后的新版本將使64位鏈路的運作壓從1.2V降低至1.1V,并使突發(fā)周期(BL)從8位進展至16位。此外,DDR5可還讓電壓穩(wěn)壓器安裝于該記憶卡,而不必再加進主板中。
 
 
 
本文關鍵詞:DDR5

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