SK海力士強(qiáng)勢(shì)出擊
2017-10-26 14:21:17
在內(nèi)存與存儲(chǔ)器市場(chǎng)方面，SK海力士表現(xiàn)的非常“豪氣”，直接出資86.1億美元進(jìn)行3D NAND Flash以及DRAM擴(kuò)產(chǎn)，似乎是因?yàn)槭袌?chǎng)趨勢(shì)一片大好，SK海力士將兩廠擴(kuò)產(chǎn)竣工的時(shí)間直接縮短至明年第四季度。
據(jù)了解，這次SK海力士擴(kuò)產(chǎn)主要用于技術(shù)升級(jí)，產(chǎn)能最多提升3%-5%，相對(duì)于美光來說，這更像是一場(chǎng)新技術(shù)研發(fā)速度的比賽，畢竟美光剛建設(shè)新廠不久，兩者建設(shè)新廠的目的似乎不謀而合。
在產(chǎn)品研發(fā)上，SK海力士于2017年年初推出全球高容量低功耗的DRAM–LPDDR4X芯片，并于4月再次推出AI、VR以及自動(dòng)駕駛等顯示器專用的超高繪圖存儲(chǔ)器DRAM–Graphics DDR6。
在NAND Flash 產(chǎn)品方面，美光成功開發(fā)出72層堆疊芯片，相比于上一代48層堆疊芯片，其運(yùn)行速度提升2倍，讀寫性能提升了20%，生產(chǎn)效能也增長了30%，目前已經(jīng)開始量產(chǎn)。
總結(jié)：
在NAND Flash以及DRAM市場(chǎng)漲潮不斷的情況下，三星電子、美光科技以及SK海力士等三大巨頭并未滿足于現(xiàn)狀，而是不斷研發(fā)全新產(chǎn)品。在這場(chǎng)角逐中，或許他們?nèi)叨际勤A家。
本文關(guān)鍵詞：
NAND Flash DRAM
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