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美光建設(shè)新廠 研發(fā)全新技術(shù)

2017-10-25 14:32:05

此前,由于美光科技DRAM大廠臺灣桃園廠區(qū)發(fā)生氮氣泄露事件,導(dǎo)致5000至1萬片的晶圓直接報廢,4萬片晶圓則被視為次級品或者報廢品。美光迅速解決并恢復(fù)正常生產(chǎn)運作,對之后的產(chǎn)能并沒有產(chǎn)生太大的影響。
  
8月14日,美光在總部舉辦活動慶祝新廠建設(shè)成功。據(jù)了解,這個工廠主要用于研發(fā)全新內(nèi)存以及存儲技術(shù),美光技術(shù)開發(fā)執(zhí)行副總裁ScottDeBoer表示,美光的主要DRAM技術(shù)研發(fā)中心已經(jīng)轉(zhuǎn)入其日本廣島的制造工廠,未來將加速研發(fā)3D NAND以及DRAM全新技術(shù)。
  
由于目前DRAM市場正處于漲潮階段,美光預(yù)計2017年會計年度第四季營收同比增長91%,高達61.38億美元,且對于2017年底營收的展望遠超市場預(yù)期,預(yù)估為63億美元左右。美光執(zhí)行長SanjayMehrotra表示,美光1X納米DRAM和64層3D NAND的良率將于今年年底達到穩(wěn)定階段,從產(chǎn)業(yè)目前情況來看,今年年底前,DRAM以及NAND Flash都將供不應(yīng)求。


本文關(guān)鍵詞:DRAM

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