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美國(guó)Everspin公司xSPI MRAM產(chǎn)品主要特性

2022-05-20 15:51:59

美國(guó)Everspin公司產(chǎn)品xSPI MRAM是業(yè)界首款基于Everspin獨(dú)特的工業(yè)STT-MRAM技術(shù)的xSPI串行接口持久存儲(chǔ)器。EMxxLX系列是一款高性能、多I/O、SPI兼容MRAM器件,具有高速、低引腳數(shù)SPI兼容總線接口具有高達(dá)200MHz的時(shí)鐘頻率和單個(gè)1.8V電源。EMxxLX通過(guò)八個(gè)時(shí)鐘頻率為200MHz的I/O信號(hào)提供高達(dá)400MBps的讀取和寫(xiě)入。
 
EMxxLX xSPI MRAM的主要特性和規(guī)格:
•存儲(chǔ)容量–8Mb、16Mb、32Mb、64Mb
•在200MHz的OSPI、DTR下,有400MBps的持續(xù)吞吐量可用于讀寫(xiě)
•擴(kuò)展的SPI(xSPI)總線接口,支持八路、四路、雙路和單路SPI協(xié)議
•八通道SPI,高達(dá)200MHz的單雙傳輸速率(STR/DTR)
•高達(dá)133MHz、支持SPI、DSPI、QSPI
•數(shù)據(jù)耐用性–在產(chǎn)品有效期內(nèi)無(wú)限次讀取、寫(xiě)入和擦除
•數(shù)據(jù)保留–最低溫度下保留10年
•符合JEDEC:JESD251、JESD251-1
•無(wú)需擦除的字節(jié)級(jí)寫(xiě)入和讀取作為持久內(nèi)存
•數(shù)據(jù)完整性–無(wú)需外部ECC
•低功耗模式:
-待機(jī)–<350µA(64Mb)
-深度節(jié)能模式–~50µA,退出時(shí)間<100µS
•SPI兼容性:NVSRAM、FRAM、NOR、Toggle MRAM
•用于編程/擦除的SPI、xSPI命令模擬NOR兼容直接執(zhí)行(XIP)
•主存儲(chǔ)器外的專(zhuān)用256字節(jié)OTP區(qū)域–可讀和用戶可鎖定,使用WRITEOTP命令永久鎖定,不受回流保護(hù)
•擦除能力–芯片/批量擦除和扇區(qū)擦除
•子扇區(qū)擦除4KB、32KB粒度
•安全和寫(xiě)保護(hù)
-16個(gè)可配置的硬件寫(xiě)保護(hù)區(qū)域,以及頂部/底部選擇
-上電期間的編程/擦除保護(hù)
-用于檢測(cè)用戶數(shù)據(jù)意外更改的CRC命令
•電壓–1.65~2.0V(1.8V)
•boot模式配置–在x1、x2、x4、x8中的boot
•提供軟件復(fù)位和硬件復(fù)位引腳
•3字節(jié)和4字節(jié)地址模式
•順序(突發(fā))讀取和寫(xiě)入
•電子簽名–JEDEC標(biāo)準(zhǔn)3字節(jié)簽名
•封裝
-24-ballBGA、6mmx8mm(5x5陣列)
-8-pinDFN、6mmx8mm(無(wú)八路SPI、限制為133MHz)
•溫度范圍–商業(yè):0℃至+70℃;工業(yè):-40℃至+85℃
•更多產(chǎn)品相關(guān)信息咨詢(xún)官方代理英尚微電子。
 
EMxxLX xSPI MRAM帶來(lái)了通用存儲(chǔ)器應(yīng)用的新時(shí)代,取代了SRAM、BBSRAM、NVSRAM和過(guò)度配置的NOR設(shè)備等產(chǎn)品,并針對(duì)工業(yè)自動(dòng)化、數(shù)據(jù)中心、工程仿真、汽車(chē)和運(yùn)輸以及游戲中的應(yīng)用。

本文關(guān)鍵詞:EMxxLX,xSPI MRAM


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英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。

 

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