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可替代SPI NOR/NAND閃存方案的xSPI MRAM

2022-05-16 17:52:00

Everspin MRAM解決方案供應(yīng)商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的EMxxLX xSPI MRAM非易失性存儲(chǔ)器解決方案。該解決方案可以替代SPI NOR/NAND閃存的方案,其讀寫速度可以高達(dá)400MB/s,存儲(chǔ)容量在8Mbit和64Mbit之間。
 
Everspin此款新xSPI產(chǎn)品系列基于擴(kuò)展的串行外設(shè)接口,這是用于非易失性存儲(chǔ)設(shè)備的最新 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。提供高性能、多 I/O、SPI 兼容性,并具有高速、低引腳數(shù) SPI 兼容總線接口,時(shí)鐘頻率高達(dá)200 MHz。這些持久性內(nèi)存 MRAM 設(shè)備在單個(gè) 1.8V 電源上運(yùn)行,并通過八個(gè) I/O 信號(hào)提供高達(dá) 400MBps 的讀取和寫入速度。更多產(chǎn)品相關(guān)資料咨詢Everspin代理英尚微電子。
 
xSPI MRAM的主要亮點(diǎn)是400MB/s的讀寫速度,因?yàn)檫@個(gè)速度是NOR或NAND等閃存設(shè)備的數(shù)倍,在寫入方面甚至更高。該產(chǎn)品的其他好處,比如:在編程之前無需擦除、高效寫入(比NAND 低10倍,比NOR低200倍),以及可以兼容舊軟件的NOR閃存模式。
 
 
 
xSPI MRAM和SPI NOR NAND閃存對(duì)比
 
xSPI MRAM開啟了通用存儲(chǔ)器應(yīng)用解決方案的新紀(jì)元,取代了 SRAM、BBSRAM、NVSRAM 和 NOR器件等產(chǎn)品,面向工業(yè)自動(dòng)化、過程控制、仿真、汽車和運(yùn)輸、游戲以及更廣泛的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)市場。
 
 
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