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技術(shù)支持

攜手Everspin:IBM為19TB NVMe SSD引入MRAM

2018-08-20 17:21:17

據(jù)外媒報道,IBM 正在擺脫傳統(tǒng)需要電容支持的 DRAM,轉(zhuǎn)而推進面向下一代閃存系統(tǒng)的磁阻存儲器(MRAM)技術(shù)。 AnandTech 指出,MRAM 是當前市面上速度最快、耐用性最高的非易失性存儲器之一。只是與 NAND 閃存(甚至英特爾的 3D XPoint 存儲器)相比,其密度相對更加受限。好消息是, IBM 與格羅方德(Global Foundries)達成了合作,在后者 22nm FD-SOI 工藝基礎上制造 MRAM 。 正因如此,使得 MRAM 芯片供應商 Everspin 將產(chǎn)能提升到了新的高度。

目前 Everspin 正在生產(chǎn) 256Mb 芯片,但有望在今年年底前開始 1Gb 芯片的出樣。

IBM 的 FlashSystem 設備,使用了類似 SSD 的定制外形、部署了系統(tǒng)級掉電防護功能、以及 FPGA 主控。

 

借助新系統(tǒng),該公司還能將它轉(zhuǎn)變成標準的 2.5 英寸 U.2 驅(qū)動器。

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但要為每個驅(qū)動器部署超級電容,來保持 FPGA 主控在掉電后有足夠長的時間運行并刷新其 DRAM 寫緩存的話,顯然是不現(xiàn)實的。


值得慶幸的是,MRAM 的非易失性,可以徹底消除對大型超級電容器的需求。

AnandTech 指出,IBM FlashSystem 可擁有高達 19.2TB 的 64 層 TLC NAND 存儲空間,并借助 20 通道 NAND 接口和 PCIe 4.0 x4 主機接口,在雙端口 2+2 模式下運行。


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據(jù)悉,IBM 將在本周的閃存峰會上展出 FlashSystem 驅(qū)動器,并于本月晚些時候開始向客戶交付。


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