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技術(shù)支持

單片機(jī)STM32F407如何外擴(kuò)SRAM存儲(chǔ)器芯片

2017-05-25 11:55:52

在設(shè)計(jì)的過(guò)程中,我們?cè)谑褂脝纹瑱C(jī)STM32F407如果遇到數(shù)據(jù)內(nèi)存不夠使用,需要進(jìn)行外擴(kuò)SRAM存儲(chǔ)器芯片,那應(yīng)該如何設(shè)置,
可以采用IS62WV51216(EM681FV16BU-55LF)的SRAM存儲(chǔ)器芯片作為存儲(chǔ)的外擴(kuò)芯片,
首先實(shí)現(xiàn) IS62WV51216(EM681FV16BU-55LF)的訪問(wèn),需要對(duì) FSMC進(jìn)行哪些配置。
以上是大概步驟的詮釋:
步驟如下:
 
  1. 使能 FSMC 時(shí)鐘,并配置 FSMC 相關(guān)的 IO 及其時(shí)鐘使能。
 
 在使用FSMC前,我們要先將其時(shí)鐘開(kāi)啟。然后把 FSMC_D0~15,F(xiàn)SMCA0~18 等相關(guān)IO接口,通通改為復(fù)用輸出的配置,最后使能各 IO 組的時(shí)鐘。
 
 使能 FSMC 時(shí)鐘的方法:
 
 RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
 
2. 設(shè)置 FSMC BANK1 區(qū)域 3。
 
FSMC BANK1 區(qū)域 3已經(jīng)包括設(shè)置區(qū)域 3 的SRAM存儲(chǔ)器的位寬、工作模式和讀寫時(shí)序等等。我們啟動(dòng)使用模式 A、16 位寬,并讓讀寫共同使用一個(gè)時(shí)序寄存器。
使用的函數(shù)是:
 void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct)
 
3. 使能 BANK1 區(qū)域 3。
 
使用的函數(shù)是:
 void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState);
 
 
以上三個(gè)步驟,我們就完成了對(duì)FSMC的配置設(shè)置,設(shè)置完畢后就可以訪問(wèn)IS62WV51216(EM681FV16BU-55LF),需要注意的一點(diǎn),我們選擇 BANK1 的區(qū)域3使用,因此 HADDR[27:26]=10,而外部?jī)?nèi)存的首地址設(shè)置為 0X68000000。
 
在單片機(jī)設(shè)計(jì)de的過(guò)程中我們可以遇到不同容量的型號(hào)考慮選擇,以下是同類型型號(hào)的選擇,可以作為參考
Density Org. Part number Speed Package Type Voltage
16Mb x16 EM6168FV16B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
16Mb x16 EM6168FV16B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
16Mb x16 EM6169FV16B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
16Mb x16 EM6169FV16B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x8 EM680FV8BU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x8 EM680FV8BU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x8 EM681FV8BU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x16 EM681FV8BU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x16 EM681FV16BU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x16 EM681FV16BU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x8 EM680FV8B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x8 EM680FV8B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x16 EM680FV16B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x16 EM680FV16B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x16 EM681FV16B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x16 EM681FV16B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x8 EM681FV8B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x8 EM681FV8B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
4Mb x16 EM641FV16F-45LF 45ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
4Mb x16 EM640FV16F-55LF 55ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
4Mb x8 EM641FT8S-55LF 55ns STSOPI 32L 8x13.4 5V
4Mb x8 EM641FV8FS-45LF 45ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
4Mb x8 EM641FV8FS-55LF 55ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
4Mb x16 EM641FV16FU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM641FV16FU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM643FV16FU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM643FV16FU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM643FV16FU-70LF 70ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM640FV16F-45LF 45ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
4Mb x16 EM646FV16FU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM646FV16FU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
2Mb x16 EM620FV16BU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
2MB x16 EM620FV16BU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
2Mb x8 EM620FV8BS-70LF 70ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
2Mb x8 EM620FV8BS-45LF 45ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
2Mb x8 EM620FV8BS-55LF 55ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
2Mb x16 EM620FV16B-45LF 45ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
2Mb x16 EM620FV16B-55LF 55ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
2Mb x16 EM621FV16BU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
2Mb x16 EM621FV16BU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
2Mb x16 EM621FV16B-45LF 45ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
2Mb x16 EM621FV16B-55LF 55ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
2Mb x8 EM621FV8BS-55LF 55ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
2Mb x8 EM621FV8BS-45LF 45ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
1Mb x8 EM610FV8S-45LF 45ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
1Mb x8 EM610FV8S-55LF 55ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
1Mb x16 EM610FV16U-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
1Mb x16 EM610FV16U-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
1Mb x8 EM610FV8T-45LF 45ns TSOPI 32L 8x20 2.7~3.6V
1Mb x8 EM610FV8T-55LF 55ns TSOPI 32L 8x20 2.7~3.6V
1Mb x8 EM610FV8T-70LF 70ns TSOPI 32L 8x20 2.7~3.6V
1Mb x16 EM611FV16U-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
1Mb x16 EM611FV16U-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
1Mb x16 EM611FV16U-70LF 70ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
 

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來(lái)專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
 
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