我國將量產(chǎn)首批32層三維NAND閃存芯片
2018-04-18 11:31:22
位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機(jī)臺在本月11日正式進(jìn)場安裝，這象征著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國第一批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年內(nèi)量產(chǎn)，填補(bǔ)我國主流存儲器空白領(lǐng)域。
現(xiàn)在我國通用的存儲器基本全部都依靠進(jìn)口，國家存儲器基地在去年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由一千人的團(tuán)隊耗費(fèi)２年自主研發(fā)的芯片，這是我國在制造工藝上與國際高端水平最接近的主流芯片，這也許會讓我國進(jìn)入全球存儲芯片第一梯隊，強(qiáng)力提高“中國芯”在國際市場的地位。
據(jù)了解，國家存儲器基地項目在2016年由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)，總投資高達(dá)240億美元，預(yù)計項目一期總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片／月，年產(chǎn)值將超過100億美元。
據(jù)悉，今年10月設(shè)備將點(diǎn)亮投產(chǎn)，預(yù)計2019年底64層閃存產(chǎn)品將達(dá)到爬坡量產(chǎn)。未來十年，紫光集團(tuán)計劃至少還將投資1000億美元，相當(dāng)于平均每年投入100億美元，進(jìn)一步追趕上我國在高端芯片領(lǐng)域與先進(jìn)國家的距離。
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NAND閃存芯片
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