Nor Flash發(fā)展過程中的問題
2018-04-12 15:12:37
過去一年，Nor Flash的價格飛漲和前景被大眾普遍看好，讓大家對編碼式存儲器重燃了信心，包括兆易創(chuàng)新和旺宏在內(nèi)的眾多廠商在去年也從中掙到盤滿缽滿。在很多人看來，這種略顯古老的產(chǎn)片沒啥技術(shù)含量，但從Nor Flash的發(fā)展前景看來，還是面臨著各種各樣的困難和挑戰(zhàn)。
根據(jù)Nor Flash的原理，它是使用CHE來編碼，然后使用FN Tunning 來擦除，而電荷注入機制對這兩個因素的印象很大，下面分別看一下其考量和解決辦法：
首先看CEH。據(jù)了解，CHE的注入對編碼速度和lg有明顯的提升，同時能夠擴大對離子化率的影響（高橫向電場），還能影響收集效率（高垂直電場）。但對CHE來說，如下圖所示，影響他們的因素也有很多。
因此，可以使用TCAD仿真來模擬CHE注入的影響，提高產(chǎn)品性能。
介乎Flaoting Gate和Bulk之間的FN Tunning同樣也會受到各種因素的影響。
這時候使用MLC方案則能完美解決相關問題。
對于Nor Flash來說，我們還需要考慮一下可靠性的問題。例如Over-Erase ，比如Nor Disturb，還有隧道氧化和可靠等問題。這就需要一些很好的解決方法。另外，在微縮的過程中，Nor Flash還會面臨Random Telegraph Signals Noise (RTN)等問題。
由上所述，Nor Flash從設計到生產(chǎn)，再到交付到客戶手中，要考慮其合格性、可靠性、保持性，同時還要經(jīng)過保持特性失效分析。經(jīng)過以上重重考驗的NorFlash才能滿用戶對使用溫度（55度），斷電數(shù)據(jù)保持時間>10年，擦寫次數(shù)>10萬次等多方面的需求。
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