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工業(yè)級SSD固態(tài)硬盤緩存方案-STT-MRAM

2018-03-15 14:49:06

   ?Buffalo Memory推出SS6系列固態(tài)硬盤,第一次采取美國公司Everspin生產(chǎn)的最新技術(shù)內(nèi)存“STT-MRAM”作為緩存緩沖。
 
    Everspin新型內(nèi)存STT-MRAM是屬于自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機存儲,采用自旋極化電流,以磁狀態(tài)而非電子充電狀態(tài)保存數(shù)據(jù),與傳統(tǒng)的動態(tài)隨機存儲(DRAM相比)具有高可靠性、非易失性、超低延遲等特性,海力士、東芝、三星等都在進行STT-MRAM的研發(fā),但目前Everspin是全球唯一家宣布基于pMTJ的ST-MRAM的樣品的公司,該STM MRAM被認(rèn)為是提供最佳可擴展性,形狀依賴性和磁性可擴展性的MRAM技術(shù)。

    眾所周知 ,目前在SSD固態(tài)硬盤的市場上一般來說是用DRAM作為緩存緩沖的,但是DRAM屬于易失性存儲器,在斷電時會丟失數(shù)據(jù),因此需要再配置超級電容及備份電池以及高級掉電保護技術(shù),無論是硬件還是軟件無疑中都增加了不少成本。
 
   而Everspin生產(chǎn)的STT-MRAM是屬于非易失性存儲器,和NAND閃存一樣就算斷電也能保留緩存的數(shù)據(jù),并且不需要硬盤向閃存刷新緩存內(nèi)容。
 
    Buffalo SS6采用了來自Everspin科技公司的DDR3 ST-MRAM(EMD3D064M),單顆容量64Mb(8MB),WBGA封裝,完全兼容JEDEC DDR3接口規(guī)范,頻率最高1600MHz,帶寬最高3.2GB/s,延遲則是納秒級別的,另外Everspin科技公司開發(fā)DDR3 ST-MRAM(EMD3D256M)新產(chǎn)品,單顆容量256Mb(32Mb x 8 or 16Mb x 16),WBGA封裝。

EMD3D064M

以下是關(guān)于everspin STT-MRAM 型號EMD3D064M以及型號 EMD3D256M資料的相關(guān)介紹
 
The initial 64Mb device is the first product in Everspin's ST-MRAM roadmap that is planned to scale to up to gigabit density and higher speeds.
 
●.Supports Standard DDR3 SDRAM Features.
●.Standard DDR3 SDRAM compatible footprint and pinouts.
●.400MHz clock.
●.512-bit Page Size.
●.On-Device Termination.
 
Everspin 64Mb DDR3 Spin-Torque MRAM
The EMD3D064M08B1 is an 8Mb x 8 Spin-Torque MRAM capable of DDR3 operation at rates of up to 800MT/sec/pin.  
It is available in a 9 x 13mm BGA package.
 
Everspin 256Mb DDR3 Spin-Torque MRAM
The EMD3D256M[08G1/16G2] 32Mb x 8 or 16Mb x 16 Spin-Torque MRAM capable of DDR3 operation at rates of up to 1333MT/sec/pin. 
It is available in a 78-ball [x8] or a 96-ball [x16] 10 x 13mm BGA package.


本文關(guān)鍵詞:EMD3D064M      STT-MRAM    EMD3D256M
 

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