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紫光國芯DRAM芯片技術(shù)達到世界先進水平

2018-01-24 16:06:01

現(xiàn)在中國存儲產(chǎn)業(yè)正在急速的崛起,紫光國芯更是一大主力軍,據(jù)了解紫光國芯的DRAM芯片設(shè)計技術(shù)已經(jīng)是處于世界先進水平,但是產(chǎn)量目前還是很小,市場份額還有待提升。
 
紫光國芯在全景網(wǎng)投資者互動平臺上回答投資者提問時介紹,DDR4存儲器芯片相比DDR3優(yōu)勢,DDR4與DDR3相比,單條容量有很大提高,可以實現(xiàn)較高的容量。另外,頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會降低工作電壓,有利于更低的功耗。
 
同時,關(guān)于公司在國內(nèi)業(yè)界、排名情況,紫光國芯介紹,公司的DRAM芯片設(shè)計技術(shù)處于世界先進水平,國內(nèi)稀缺,但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小,市場份額較小。
 
 
1月26日紫光國芯在互動平臺表示,公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計,目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶圓的制造能力,公司會考慮與其合作。
 

本文關(guān)鍵詞:DRAM

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