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全球晶圓代工大廠研發(fā)MRAM替代 NOR Flash

2017-11-28 15:03:11

全球主要晶圓代工廠打算在2017年與2018年提供磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案,有望改變下一代儲存技術(shù)。
  
據(jù)SemiEngineering網(wǎng)站報導(dǎo),三星(Samsung)、GlobalFoundries、臺積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計劃在2017年下半年開始供應(yīng)ST-MRAM或STT-MRAM,替代NOR Flash,因此存儲市場發(fā)生巨大轉(zhuǎn)變,到目前為止,只有Everspin已經(jīng)為各種應(yīng)用提供MRAM,例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(WriteCache)等。
  
STT-MRAM的下一個好機(jī)遇就是嵌入式記憶體IP市場,NOR Flash是傳統(tǒng)嵌入式記憶體,隨著制程從40nm進(jìn)展到28nm,NOR Flash現(xiàn)在開始出現(xiàn)許多問題,因此,這些代工廠的支持可以將STT-MRAM轉(zhuǎn)變?yōu)橄冗M(jìn)節(jié)點(diǎn)的替代技術(shù)。

GlobalFoundries嵌入式記憶體副總裁DaveEggleston表示,嵌入式快閃記憶體會繼續(xù)作為資料保存技術(shù)主流,特別是在汽車和安全應(yīng)用領(lǐng)域,嵌入式快閃記憶體使用壽命特別長,但沒有擴(kuò)展空間,當(dāng)達(dá)到28nm制程以上時,嵌入式快閃記憶體實(shí)際上價格是最高的?! ?/div>

因此,業(yè)界急需一個新的解決方案,STT-MRAM恰好為2xnm及以上的嵌入式記憶體應(yīng)用做好準(zhǔn)備。先作為補(bǔ)充技術(shù),進(jìn)一步替代嵌入式DRAM和SRAM,這也是MRAM的好機(jī)會,將為處理器添加持久性功能。

MRAM可能會因?yàn)閹讉€綜合因素而成為一個大市場或利基解決方案,包括多個供應(yīng)商和一系列的應(yīng)用推動STT-MRAM快速發(fā)展,此外,主要代工廠投入STT-MRAM也可能會推動規(guī)模經(jīng)濟(jì)化,降低技術(shù)成本。
  
還有一個問題是,并不是所有晶圓代工客戶都需要22nm以上的晶片,此外,STT-MRAM是一種相對較新的技術(shù),客戶可能需要花點(diǎn)時間去了解、整合,各種制造上的挑戰(zhàn)也必須解決。但是,4大代工廠都已經(jīng)決定為嵌入式客戶投入開發(fā)作業(yè),三星有自己的IP,其他代工廠正在與各種合作伙伴合作。
  
除了Everspin和代工廠之外,美光(Micron)、英特爾(Intel)和東芝與SK海力士都投入MRAM研發(fā),同時,幾家新創(chuàng)公司如Avalanche、Crocus、SpinTransferTechnologies也都正在開發(fā)。對大多數(shù)企業(yè)而言,生產(chǎn)MRAM還是比較困難的,因?yàn)镸RAM涉及集成方案、開發(fā)新材料設(shè)備,與傳統(tǒng)記憶體相比,生產(chǎn)流程也不同。
  
在晶圓廠的進(jìn)展中,STT-MRAM目前有2個用例,第一個是替換嵌入式快閃記憶體,另一個是嵌入式SRAM,業(yè)界一致認(rèn)為,STT-MRAM是一個很好的嵌入式解決方案。多年來,業(yè)界一直在致力于研究STT-MRAM的發(fā)展,最終目標(biāo)是取代DRAM,目前階段還在努力探索中。
  
而STT-MRAM仍然需要確保它可以在汽車的高溫下滿足可靠性和資料儲存規(guī)格。在微控制器(MCU)市場的嵌入式記憶體需求也在不斷增加,如NOR Flash用于代碼儲存和其他功能。MCU制程從40nm進(jìn)展到28nm,NOR Flash也是,然而,在2xnm節(jié)點(diǎn),NOR Flash開始凸顯寫入速度慢和耐久性問題,而且因?yàn)樾枰喙庹植襟E以至于成本更高。
  
超過28nm以后,NOR Flash就難以擴(kuò)展,所以人們正在積極尋找替代品,但是用新的記憶體類型替換NOR Flash不是一項(xiàng)簡單的事,新型記憶體類型的成長關(guān)鍵要求是可靠性、性能、密度和成本。
  
現(xiàn)在,STT-MRAM似乎已經(jīng)在2xnm節(jié)點(diǎn)的嵌入式市場準(zhǔn)備就緒,其他記憶體類型仍然停留在研發(fā)階段。報導(dǎo)指出,隨著產(chǎn)業(yè)正在開發(fā)STT-MRAM,同時也專注準(zhǔn)備MRAM研發(fā),包括SOT-MRAM磁記憶體,將作為基于SRAM技術(shù)的緩存替代品。
 
 
本文關(guān)鍵詞:晶圓    MRAM   NOR Flash

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