基于ReRAM技術(shù)的SSD即將面世
2017-11-10 15:35:32
SSD雖然能夠通過堆疊層數(shù)來增大單顆粒容量，但隨著層數(shù)越來越多，所需要的硅穿孔數(shù)目越多，制造難度直線上升，不僅生產(chǎn)成本高，良品率也無法保證、，一些擁有深厚技術(shù)的存儲廠商早就開始探索新一代非易失性存儲器了。除了Intel那個未知原理的3D XPoint閃存以外，還有大熱的ReRAM，這是一種以電阻值來記錄數(shù)據(jù)的非易失性存儲器，具有單位面積容量大、讀寫速度快特性，而對此研究了好些年的Mobiveil聯(lián)合Crossbar將會推出基于ReRAM技術(shù)的SSD，為存儲市場增添新活力。
ReRAM其實就是一種憶阻器模型，是一種能夠描述電荷和磁通之間關(guān)系的全新元件，也是一種具有記憶功能的非線性電阻，不僅可以記憶流經(jīng)自身的電荷數(shù)量，也可以通過控制激勵源的電流或者磁通來改變自身的阻值大小，并且這種阻值變化可以在斷電下繼續(xù)保存相當長的一段時間。
單一憶阻器其實就是一個長條形的器件，擁有三層結(jié)構(gòu)，包含有上下電極和中間的開關(guān)層，通過電極施加不同的電壓值就能改變中間的特殊結(jié)構(gòu)的電阻值，從而達到存儲數(shù)據(jù)功能（電阻值代表0/1或者是更多位數(shù)據(jù)）。其穩(wěn)定性非常好，具備了普通閃存顆粒不具備的超寬溫度耐受值，-40-125℃。一百萬次讀寫周期后，在85℃下數(shù)據(jù)可以保持10年不消失。
而且這種長條形結(jié)構(gòu)可以很容易地組建成大規(guī)模陣列，簡單的結(jié)構(gòu)使得存儲容量、密度遠超現(xiàn)有的閃存技術(shù)，輕松實現(xiàn)TB存儲顆粒。
另外由于其結(jié)構(gòu)簡單，它的主控開發(fā)也變得異常簡單，現(xiàn)有的Mobiveil's NVMe、PCIe、DDR3/4主控可以很好地適應(yīng)ReRAM架構(gòu)。
不過Mobiveil、Crossbar表示ReRAM SSD并不是要革現(xiàn)有SSD的名，因為它至少短期內(nèi)不是民用消費級，而是面向商業(yè)應(yīng)用方案，因為目前來看ReRAM SSD雖然性能指標一流，但制作成本非常高，甚至比NV-DIMMM更為昂貴，就像是Intel的傲騰都是在虧本在賣。
所以Mobiveil與Crossbar將ReRAM的銷售方向、潛在客戶都與Intel 3D XPoint閃存硬盤Optane相同，并在積極開發(fā)能夠平衡價格與性能的產(chǎn)品，帶動公司的繼續(xù)發(fā)展。
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