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MRAM芯片特性

2017-09-20 15:04:32

Everpin科技公司

Everspin是從飛思卡爾半導體公司分離出來的一家獨立公司。是全球第一家量產(chǎn)MRAM的供貨商,并透過持續(xù)提升技術與擴展MRAM產(chǎn)品組合來領導業(yè)界的發(fā)展。Everspin提供市場上最可靠、高效能、且具成本效益的非揮發(fā)性隨機存取存儲器,以協(xié)助客戶開發(fā)獨特且極具競爭力的產(chǎn)品 。( ( Everspin公司是 磁性隨機存儲器( (MRAM) )和 集成磁( (Integrated Magnetic) ) 產(chǎn)品的全球領導者

主要從事: 磁性隨機存儲器(MRAM)與傳感器的開發(fā)和制造工作

目標市場: 儲存、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、消費、運輸、和航空電子
 
MRAM芯片特性

• MRAM讀取/寫入周期時間:35ns;
• 真正無限次擦除使用;
• 業(yè)內(nèi)最長的壽命和數(shù)據(jù)保存時間----超過20年的非揮發(fā)特性;
• 單芯片最高容量為16Mb;
• 快速、簡單接口----16位或8位并行SRAM、40MHz高速串行SPI接口;
• 具有成本效益----簡單到只有一個晶體管、一個磁性穿隧結(1T-1MTJ)位單元;
• 最佳等級的軟錯誤率----遠比其它內(nèi)存優(yōu)異;
• 可取代多種存儲器----集閃存、SRAM、EEPROM、nvRAM、以及BBSRAM的功能于一身;
• 具備商業(yè)級、工業(yè)級、擴展級和汽車級的可選溫度范圍;
• 符合RoHS規(guī)范:無電池、無鉛;
• 小封裝:TSOP、VGA、DFN。
 
MRAM工作原理
 
Eversin 的利MRAM是以可在邏上的磁隧道MTJ p 專技術沉積標準輯制程性結儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層(fixed layer),和一個通過隧道結(tunnel barrier)與其隔離的自由層(free layer)。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時,MTJ的隧道結便會顯現(xiàn)出低電阻特性。而當自由層被施予反方向的極化時,MTJ便會有高電阻。此一磁阻效應可使MRAM不需改變內(nèi)存狀態(tài),便能快速讀取數(shù)據(jù)。當流經(jīng)兩金屬線的電流足以切換MTJ的磁場時,在兩金屬線交點的MTJ就會被極化(寫入)。此過程能以SRAM的速度完成。

本文關鍵詞:SRAM  EEPROM  MRAM  Everspin

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