瑞薩高速SRAM*1 產(chǎn)品資料
2017-08-25 14:17:51
隨著互聯(lián)網(wǎng)的廣泛普及，傳輸速度和發(fā)送到通信設(shè)備的信息量也在不停添加，現(xiàn)在數(shù)據(jù)速率已經(jīng)超過(guò)了40Gb/s。檢查數(shù)據(jù)終點(diǎn)和管理高端網(wǎng)絡(luò)設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)包流量的需要不斷推動(dòng)著對(duì)具有高速操作功能的大密度存儲(chǔ)器需求的增長(zhǎng)。并且，數(shù)據(jù)復(fù)雜度也隨視頻、語(yǔ)音和數(shù)據(jù)應(yīng)用而不斷增加，因此需要更大的存儲(chǔ)容量。
現(xiàn)在，瑞薩提供了大量面向工業(yè)應(yīng)用和UNIX*3服務(wù)器與工作站內(nèi)高速緩沖存儲(chǔ)器的SRAM、18Mb網(wǎng)絡(luò)SRAM以及面向通信設(shè)備的36Mb DDRII與QDRII SRAM。隨著網(wǎng)絡(luò)設(shè)備性能和功能的不斷提高，瑞薩利用其設(shè)計(jì)專(zhuān)長(zhǎng)和生產(chǎn)技術(shù)為72Mb QDRII與QDRII+ SRAM產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了更高的速度和高可靠性，從而滿足了通信應(yīng)用對(duì)高速、大容量和大位寬度的需求。
產(chǎn)品詳情
新產(chǎn)品均提供所有突發(fā)長(zhǎng)度和位寬度組合，并且標(biāo)準(zhǔn)HSTL(高速晶體管邏輯)接口用于超高速同步SRAM.
新產(chǎn)品采用165-引腳塑料FBGA封裝，尺寸為15 mm × 17 mm，具有杰出的散熱特性，適于大密度安裝。這些產(chǎn)品符合RoHS指令*4的要求，還提供無(wú)鉛版本。QDR引腳配置支持將來(lái)向高達(dá)288Mb的密度無(wú)縫移植。并且，采用FBGA封裝的產(chǎn)品支持IEEE標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試存取端口和邊界掃描架構(gòu)(IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1-1990)，能夠在板級(jí)模塊安裝過(guò)程中實(shí)現(xiàn)交叉連接檢查。
對(duì)于將來(lái)該領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)，瑞薩制定了長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃，并致力于開(kāi)發(fā)容量更大、性能更高的QDR/DDR SRAM產(chǎn)品以支持不斷變化的用戶需求。
本文關(guān)鍵詞：DDRII
SRAM 高速同步SRAM
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