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非易失存儲器迎來好機(jī)遇

2017-08-11 15:57:00

近年來物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展得如火如荼,這熱潮將大力推動存儲器需求。汽車、行動裝置、工業(yè)等機(jī)器對機(jī)器(M2M)裝置對固態(tài)硬盤需求連年上升,加上嵌入式系統(tǒng)因應(yīng)大數(shù)據(jù)資料來臨,對存儲器容量的要求也翻倍增長,這些應(yīng)用的興起都可帶動各種嵌入式存儲器出貨量激增。但以海量數(shù)據(jù)存儲為主要載體的物聯(lián)網(wǎng)對存儲器提出了低成本、高容量、低功耗、高速度、高可靠性的要求。研發(fā)、尋找一種最符合要求、最具有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ姆菗]發(fā)性存儲器,時(shí)間緊迫且意義重大。

在市場迫切需求的驅(qū)動下,市面上相陸續(xù)出現(xiàn)了一些新型非易失存儲器,如相變存儲器(PRAM)、鐵電存儲器(FRAM)、阻變存儲器(RRAM)、磁變存儲器(MRAM)。
 
  磁變存儲器(MRAM)自1990年代開始發(fā)展,是一種非揮發(fā)性存儲器技術(shù),也就是斷電后,所儲存的資料不會丟失的存儲器。這項(xiàng)技術(shù)在學(xué)理上的存取速度接近SRAM,而且具有快閃存儲器的非揮發(fā)性特性,在容量密度及使用壽命上與DRAM不相上下,平均能耗遠(yuǎn)低于DRAM,未來極具成為真正通用型存儲器潛力。但由于MRAM使用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu),量產(chǎn)難度非常大。相變存儲器(PRAM)可在芯片供電中斷時(shí)保存數(shù)據(jù),與普通閃存的工作原理相同。但PRAM寫入數(shù)據(jù)的速度要比快閃存儲器快30倍,其壽命周期也將至少增加了十倍。
 
  相變存儲器是基于材料相變引起電阻變化的存儲器。結(jié)構(gòu)上有電阻加熱器和相變層所組成。通入重置(RESET)寫電流后,電阻加熱器使得相變層溫度迅速升高,在達(dá)到相變層熔點(diǎn)后較短時(shí)間內(nèi),關(guān)閉寫電流,使得材料快速冷卻,此時(shí)固定在非晶態(tài),為高阻態(tài)。為了使相變層材料重新回到晶態(tài),需要通入設(shè)置(SET)電流,相變層需要被加熱到結(jié)晶溫度和熔化溫度之間,使得晶核和微晶快速生長。目前相變層材料的研究集中在GST系合金。由于重置寫電流較大,相變存儲器的功耗較高,另外寫電流時(shí)間較長,寫速度較慢。尋找新型相變材料來降低寫電流,同時(shí)加快寫速度和減少熱擾動成為急需解決的難題。

本文關(guān)鍵詞:鐵電存儲器(FRAM)   磁變存儲器(MRAM)

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