FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫入功能，無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率，以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣，因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。
 
這些吸引人的特性是鋯鈦酸鉛（PZT）是其中一種材料的鐵電性能的結(jié)果。PZT具有鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)，中心有一個(gè)陽(yáng)離子（見圖1）。該陽(yáng)離子可以處于兩個(gè)位置之一，并且可以通過施加電場(chǎng)來(lái)切換位置。每個(gè)轉(zhuǎn)換都會(huì)產(chǎn)生“開關(guān)電荷”（Q s），可以將其讀取以表示邏輯1或0。
    鐵電存儲(chǔ)器的操作與浮柵技術(shù)衍生的傳統(tǒng)可寫非易失性存儲(chǔ)器的操作完全不同，后者通過將電荷存儲(chǔ)在位單元中來(lái)工作。閃存或EEPROM存儲(chǔ)器使用電荷泵在芯片上產(chǎn)生高電壓（10 V或更高），并迫使電荷載流子通過柵極氧化物。這產(chǎn)生長(zhǎng)的寫入延遲并且需要高的寫入功率，這對(duì)存儲(chǔ)單元具有破壞性。
 
相比之下，F(xiàn)RAM的寫入速度實(shí)際上是即時(shí)的-只需幾皮秒。由于持續(xù)時(shí)間短，該寫操作可由FRAM存儲(chǔ)芯片的固有電容供電。這意味著，一旦將數(shù)據(jù)提供給設(shè)備的引腳，就可以保證即使系統(tǒng)電源出現(xiàn)故障也可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并且無(wú)需電容器或任何其他外部電源。即時(shí)寫入速度還意味著板上無(wú)需高速緩沖SRAM或DRAM存儲(chǔ)器（見圖2）。

   
鐵電原理也具有無(wú)限的耐力。例如cypress半導(dǎo)體公司的Excelon-Auto FRAM存儲(chǔ)設(shè)備的額定寫入周期為100萬(wàn)億次。這足以使其在20年內(nèi)每10 µs記錄一次數(shù)據(jù)，而無(wú)需使用復(fù)雜的磨損均衡軟件。
 
有效的汽車EDR實(shí)施將配對(duì)具有2 Mb或4 Mb密度的無(wú)限耐久性FRAM器件和高密度閃存。存儲(chǔ)器通常將配置為連續(xù)存儲(chǔ)最新的1到5 s的數(shù)據(jù)，而閃存陣列用于批量存儲(chǔ)較舊的數(shù)據(jù)。對(duì)于Excelon-Auto設(shè)備，有一個(gè)串行外圍設(shè)備接口，它使用標(biāo)準(zhǔn)的非易失性命令進(jìn)行配置以及讀寫操作。cypress代理商可提供相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)支持。

 

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