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富士通新款4Mbit FRAM穩(wěn)定在125℃高溫下運行

2020-07-29 09:19:27

鐵電隨機存儲器FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內(nèi)存,即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM主要結合了ROM和RAM的特性,并擁有高速寫入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點。非易失性內(nèi)存是苛刻環(huán)境下具備高可靠性的汽車和工業(yè)應用的理想之選。
 
富士通去年發(fā)布的2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車和工業(yè)設備中獲得廣泛應用,而MB85RS4MTY將其容量提高至4M bit,滿足用戶對更高容量的需求,配有SPI接口,工作電壓為1.8V至3.6V。
 
富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM,其容量達到FRAM產(chǎn)品最高水平,運作溫度最高可達125℃。目前可為客戶提供評測版樣品。
 
這款FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標準8-pin SOP封裝,可輕松取代現(xiàn)有類似引腳的EEPROM。還提供8-pin DFN(無引線雙側扁平)封裝。

 
圖1:MB85RS4MTY 8-pin DFN(頂部?底部)
 
關鍵規(guī)格
組件型號:MB85RS4MT
容量(組態(tài)):4Mbit(512Kx8位)
接口:SPI(Serial Peripheral Interface)
運作頻率:最高50MHz
運作電壓:1.8V-3.6V
運作溫度范圍:-40°C-+125°C
讀/寫耐久性:10兆次(1013次)
封裝規(guī)格:8-pin DFN,8-pin SOP
 
這款全新富士通鐵電RAM是非易失性內(nèi)存產(chǎn)品,高溫125℃的環(huán)境下可以達到10兆次讀/寫次數(shù),工作電流低,是工業(yè)機器人和高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等汽車應用的最佳選擇。
 
由于這款FRAM存儲器工作電流低,即使在125℃高溫下,最大工作電流僅為4mA(運作頻率50MHz),最大掉電模式電流為30µA,因此有助于降低環(huán)境敏感應用的功耗。
 
這款全新FRAM在-40℃至+125℃溫度范圍內(nèi)可以達到10兆次讀/寫次數(shù),適合某些需要實時數(shù)據(jù)記錄的應用。例如每0.03毫秒重寫一次數(shù)據(jù),同一地址連續(xù)記錄數(shù)據(jù)可達10年之久。

 
圖2:FRAM應用例子
 
FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存,并已量產(chǎn)20多年,近年來廣泛用于可穿戴設備、工業(yè)機器人和無人機。



富士通Serial FeRAM
Brand Density Part Name Voltage(V) Operating Temp. (°C) Package
Fujitsu 4Mb MB85RQ4ML 1.7 ~ 1.95 -40 ℃ to 85 ℃ SOP-16
Fujitsu 2Mb MB85RS2MT 1.8 ~ 3.6 -40 ℃ to 85 ℃ SOP-8 DIP-8
Fujitsu 1Mb MB85RS1MT 1.8 ~ 3.6 -40 ℃ to 85 ℃ SOP-8
Fujitsu 512Kb MB85RS512T 1.8 ~ 3.6 -40 ℃ to 85 ℃ SOP-8
Fujitsu 256Kb MB85RS256B 2.7 ~ 3.6 -40 ℃ to 85 ℃ SOP-8
Fujitsu 128Kb MB85RS128B 2.7 ~ 3.6 -40 ℃ to 85 ℃ SOP-8
Fujitsu 64Kb MB85RS64V 3.0 ~ 5.5 -40 ℃ to 85 ℃ SOP-8
Fujitsu 64Kb MB85RS64 2.7 ~ 3.6 -40 ℃ to 85 ℃ SOP-8
Fujitsu 16kb MB85RDP16LX(*2) 1.65 ~1.95 -40 ℃ to 105℃ SON-8
Fujitsu 16Kb MB85RS16N 2.7 ~3.6 -40 ℃ to 85 ℃ SOP-8 SON-8
Fujitsu 16Kb MB85RS16 2.7 ~ 3.6 -40 ℃ to 85 ℃ SOP-8 SON-8
 

了解更多詳情資料:http://m.6dkj.net/list-326-1.html


本文關鍵詞:FRAM  富士通FRAM

 

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