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富士通開發(fā)史上超小型封裝串行FRAM

2020-04-07 09:27:26

富士通是一家通過不斷創(chuàng)新全球化信息通信技術(shù)的公司。眾多的標(biāo)志性成果和產(chǎn)品里程碑將富士通塑造成為現(xiàn)在這樣一家在ICT領(lǐng)域領(lǐng)先的公司。富士通為廣大用戶開發(fā)了眾多的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。還開發(fā)出業(yè)界中具有超小型封裝尺寸的1Mbit 串行FRAM——MB85RS1MT,這是一款有8引腳晶圓級芯片尺寸封裝(WL-CSP)的產(chǎn)品,與傳統(tǒng)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOP封裝相比,此款WL-CSP大約為SOP的23%,能夠減少約77%的安裝面積。而且本W(wǎng)L-CSP的厚度為0.33mm,約是信用卡的一半,從安裝體積比來看,能夠減少大約95%的體積。 是富士通半導(dǎo)體提供的最大密度容量的串口FRAM。


MB85RS1MT是131,072字x 8位FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲器),使用鐵電工藝形成非易失性存儲單元,并采用硅柵CMOS工藝,采用串行外圍設(shè)備接口(SPI)??梢员A魯?shù)據(jù),而無需使用數(shù)據(jù)備份電池,例如SRAM。使用的存儲單元可以執(zhí)行1013次寫/讀操作,大大超過了閃存或E2PROM可以重寫的次數(shù)。不需要像閃存和E2PROM這樣的長寫入時間,并且寫入等待時間為零。 因此,無需等待寫入完成序列。

另外與同為非易失性存儲器的通用EEPROM相比,MB85RS1MT的寫入時間較短,從而能夠大幅降低寫入時的功耗。



寫入時的功耗對比
 
因此將該FRAM引入需要頻繁實(shí)時記錄原始數(shù)據(jù)的可穿戴設(shè)備,將有利于延長電池的使用壽命或?qū)崿F(xiàn)電池的小型化。


本文關(guān)鍵詞: FRAM

上一篇文章:新型MRAM技術(shù)量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)低功耗


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