一般計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所使用的隨機(jī)存取內(nèi)存主要包括動態(tài)與靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種，差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數(shù)據(jù)保存，SRAM的數(shù)據(jù)則不需要刷新過程，在上電期間數(shù)據(jù)不會丟失。

SRAM是一種具有靜止存取功能內(nèi)存的靜態(tài)隨機(jī)存儲器，不需要進(jìn)行刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

 

DRAM即是動態(tài)隨機(jī)存儲器,動態(tài)隨機(jī)存儲器采用動態(tài)存儲單元的隨機(jī)存儲器，簡稱DRAM或是動態(tài)RAM。

 

SRAM則不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即刻會消失，因此SRAM具有相對較高的性能，但是SRAM也有缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 ，相同容量的DRAM的內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為比較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積才可以。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。

 

SRAM是比DRAM更為昂貴，但更為快速、低功耗（僅空閑狀態(tài)）。因此SRAM首選用于帶寬要求高。SRAM比起DRAM更為容易控制，也更是隨機(jī)訪問。由于復(fù)雜的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，SRAM比DRAM的占用面積更大，因而不適合用于更高儲存密度低成本的應(yīng)用，如PC內(nèi)存。

 

時(shí)鐘頻率與功耗

SRAM功耗取決于它的訪問頻率。如果用高頻率訪問SRAM，其功耗比DRAM大得多。有的SRAM在全帶寬時(shí)功耗達(dá)到幾個(gè)瓦特量級。另一方面SRAM如果用于溫和的時(shí)鐘頻率的微處理器，其功耗將非常小，在空閑狀態(tài)時(shí)功耗可以忽略不計(jì)—幾個(gè)微瓦特級別。英尚微電子專業(yè)VTI代理SRAM芯片,提供技術(shù)支持指導(dǎo).

VTI  低功耗SRAM型號

Density	Org.	P/N	Temp.	Vcc(V)	Speed(ns)	C/S Option	Package	Packing
1Mbit	128K x 8	VTI501NB08	Industrial	3.3	45/55	2C/S	32TSOP1	Tray
1Mbit	128K x 8	VTI501NB08	Industrial	3.3	45/55	2C/S	32sTSOP1	Tray
1Mbit	128K x 8	VTI501NB08	Industrial	3.3	45/55	2C/S	32SOP	Tray
1Mbit	128K x 8	VTI501HB08	Industrial	5.0	45/55	2C/S	32TSOP1	Tray
1Mbit	128K x 8	VTI501HB08	Industrial	5.0	45/55	2C/S	32sTSOP1	Tray
1Mbit	128K x 8	VTI501HB08	Industrial	5.0	45/55	2C/S	32SOP	Tray
1Mbit	64K x 16	VTI501NL16	Industrial	3.3	45/55	1C/S	44TSOP2	Tray
1Mbit	64K x 16	VTI501NL16	Industrial	3.3	45/55	1C/S	48BGA	Tray
1Mbit	64K x 16	VTI501HL16	Industrial	5.0	45/55	1C/S	48BGA	Tray
1Mbit	64K x 16	VTI501HL16	Industrial	5.0	45/55	1C/S	44TSOP2	Tray

本文關(guān)鍵詞： SRAM

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