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如何辨別SRAM是否屬于動態(tài)隨機(jī)存儲器

2020-03-11 09:26:34

一般計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所使用的隨機(jī)存取內(nèi)存主要包括動態(tài)與靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種,差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新,才能維系數(shù)據(jù)保存,SRAM的數(shù)據(jù)則不需要刷新過程,在上電期間數(shù)據(jù)不會丟失。

SRAM是一種具有靜止存取功能內(nèi)存的靜態(tài)隨機(jī)存儲器,不需要進(jìn)行刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
 
DRAM即是動態(tài)隨機(jī)存儲器,動態(tài)隨機(jī)存儲器采用動態(tài)存儲單元的隨機(jī)存儲器,簡稱DRAM或是動態(tài)RAM。
 
SRAM則不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即刻會消失,因此SRAM具有相對較高的性能,但是SRAM也有缺點(diǎn),即它的集成度較低,功耗較DRAM大 ,相同容量的DRAM的內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為比較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積才可以。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。
 
SRAM是比DRAM更為昂貴,但更為快速、低功耗(僅空閑狀態(tài))。因此SRAM首選用于帶寬要求高。SRAM比起DRAM更為容易控制,也更是隨機(jī)訪問。由于復(fù)雜的內(nèi)部結(jié)構(gòu),SRAM比DRAM的占用面積更大,因而不適合用于更高儲存密度低成本的應(yīng)用,如PC內(nèi)存。
 
時(shí)鐘頻率與功耗
SRAM功耗取決于它的訪問頻率。如果用高頻率訪問SRAM,其功耗比DRAM大得多。有的SRAM在全帶寬時(shí)功耗達(dá)到幾個(gè)瓦特量級。另一方面SRAM如果用于溫和的時(shí)鐘頻率的微處理器,其功耗將非常小,在空閑狀態(tài)時(shí)功耗可以忽略不計(jì)—幾個(gè)微瓦特級別。英尚微電子專業(yè)VTI代理SRAM芯片,提供技術(shù)支持指導(dǎo).

VTI  低功耗SRAM型號
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1Mbit 128K x 8 VTI501NB08 Industrial 3.3 45/55 2C/S 32sTSOP1 Tray
1Mbit 128K x 8 VTI501NB08 Industrial 3.3 45/55 2C/S 32SOP Tray
1Mbit 128K x 8 VTI501HB08 Industrial 5.0 45/55 2C/S 32TSOP1 Tray
1Mbit 128K x 8 VTI501HB08 Industrial 5.0 45/55 2C/S 32sTSOP1 Tray
1Mbit 128K x 8 VTI501HB08 Industrial 5.0 45/55 2C/S 32SOP Tray
1Mbit 64K x 16 VTI501NL16 Industrial 3.3 45/55 1C/S 44TSOP2 Tray
1Mbit 64K x 16 VTI501NL16 Industrial 3.3 45/55 1C/S 48BGA Tray
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1Mbit 64K x 16 VTI501HL16 Industrial 5.0 45/55 1C/S 44TSOP2 Tray

本文關(guān)鍵詞: SRAM

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