業(yè)界一直在尋求取代SRAM。其中之一包括自旋轉(zhuǎn)移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存儲器帶來了一些大膽的主張。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和閃存的無波動性，具有無限的耐用性。
   
Everspin已經(jīng)為SSD提供SST-MRAM設(shè)備。此外一些芯片制造商正專注于嵌入式STT-MRAM，它分為兩個市場，嵌入式閃存替代和緩存。
 
STT-MRAM是具有磁隧道結(jié)（MTJ）存儲器單元的單晶體管架構(gòu)。它利用電子自旋的磁性在芯片中提供非揮發(fā)性特性。寫入和讀取功能在MTJ單元中共享相同的并行路徑。
 
為此STT-MRAM正準(zhǔn)備取代嵌入式NOR閃存芯片。此外，STT-MRAM旨在取代SRAM，至少用于L3緩存。STT-MRAM正在不斷發(fā)展，以更密集地嵌入到SoC中，其更小的單元尺寸，更低的待機(jī)功率要求和非易失性提供了一個引人注目的價值主張，針對用作通用板載存儲器和最后級別的大得多且易變的SRAM緩存。
 
但STT-MRAM的速度還不足以取代SRAM用于L1和/或L2緩存，還包括穩(wěn)定性。我們相信STT-MRAM，訪問時間將在5ns到10ns之間飽和。當(dāng)你進(jìn)入L1和L2緩存時，我們相信你需要去SOT-MRAM。
 
類似于STT-MRAM，SOT-MRAM仍處于研發(fā)階段。不同之處在于SOT-MRAM在器件下集成了SOT層。根據(jù)Imec，它通過在相鄰的SOT層中注入面內(nèi)電流來引起層的切換。
 
當(dāng)你切換STT-MRAM，需要通過MTJ推動當(dāng)前，在內(nèi)存主任IMEC。在SOT-MRAM中，你有兩條路徑，一條用于寫入，另一條用于讀取。讀取就像STT。你通讀了MTJ。寫不是通過MTJ。這是一個很大的好處，因?yàn)槟梢匝h(huán)設(shè)備并對其進(jìn)行優(yōu)化以延長使用壽命。第二大優(yōu)勢是速度。我司Everspin代理不同容量的MRAM存儲芯片.
 

本文關(guān)鍵詞：Everspin代理 

相關(guān)文章：?Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4設(shè)計指南

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。