Everspin MR4A16B 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫(xiě)周期，并擁有出色耐久性。

MR4A16B由1,048,576字 x 16位構(gòu)成。對(duì)于這款MRAM來(lái)說(shuō)，數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫(xiě)入。
 
MR4A16B采用48引腳球柵陣列 (BGA) 小型封裝和54引腳微小外形封裝 (TSOPII)。
 
這款器件能夠在商業(yè)級(jí)（0至+70 °C）、工業(yè)級(jí)（-40至+85 °C）與擴(kuò)展級(jí)（-40至+105 °C）溫度范圍內(nèi)工作，并在整個(gè)溫度范圍內(nèi)保持高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。
 

本文關(guān)鍵詞：并行MRAM

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