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Everspin Gbit MRAM芯片

2018-05-11 10:45:55

Everspin宣布它正在采樣一個(gè)Gbit MRAM芯片,并將于今年投入使用,基于其256 Mbit芯片的1-2 Gbyte卡。閃存峰會(huì)上的消息標(biāo)志著一個(gè)小型但重要的進(jìn)步,即在主流NAND市場(chǎng)仍在上升的市場(chǎng)上,不斷增加的持續(xù)存儲(chǔ)器的集合。
 
Everspin希望其產(chǎn)品能夠找到用固態(tài)硬盤和閃存陣列替代DRAM作為非易失性緩沖區(qū)和寫入緩存的插座。這些卡將使用特殊的Windows和Linux驅(qū)動(dòng)程序提供高達(dá)700萬次I / O操作/秒和2微秒的延遲Everspin將以開源形式發(fā)布。
 
至少有一家公司將為Everspin的卡片提供第二個(gè)來源。該公司表示,該芯片有一位試用客戶,希望能在一年內(nèi)投入生產(chǎn)。
 
英特爾成為第一個(gè)在主流存儲(chǔ)市場(chǎng)推出新內(nèi)存芯片的公司,其3DXP現(xiàn)在正在SSD中出貨。西部數(shù)據(jù)在2020年之前承諾了阻性RAM,而Everspin去年年底在Spin Transfer Technologies獲得了MRAM競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,Spin Transfer Technologies表示將在明年推出Gbit級(jí)產(chǎn)品。
 
“未來,所有的記憶將會(huì)持續(xù) - 從現(xiàn)在開始或早些時(shí)候可能會(huì)有5-7年的時(shí)間,但是這是一個(gè)期望,一切都是現(xiàn)場(chǎng)和備份的,并且具有最高容量的最高性能的記憶將贏得,”帕特里克帕拉,Everspin營銷高級(jí)副總裁。

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