MRAM，即磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，屬于當(dāng)前新型存儲(chǔ)器技術(shù)之一。
 
    從特性上看，MRAM具備無(wú)限的讀寫(xiě)次數(shù)、快速的寫(xiě)入速度（寫(xiě)入時(shí)間可低至2.3納秒）、低功耗以及高邏輯芯片整合度等特點(diǎn)，產(chǎn)品主要適用于對(duì)容量要求較低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域。
 
    MRAM的耗電量可降至主流存儲(chǔ)器（DRAM、NAND Flash）的百分之一，且寫(xiě)入速度快、即使切斷電源數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。然而，除了制造成本較高之外，與現(xiàn)有存儲(chǔ)器相比，耐久性、可靠性等問(wèn)題仍需進(jìn)一步解決。
 
    從主流的MRAM技術(shù)來(lái)看，MRAM技術(shù)包括嵌入式磁阻RAM（MRAM）、自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）、SOT-MRAM（自旋軌道扭矩磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器）。目前MRAM主要以美國(guó)半導(dǎo)體大廠Everspin Technologies推出的STT-MRAM（垂直混合自旋扭矩轉(zhuǎn)換磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器）為代表。
 
    其中，STT-MRAM利用隧道層的“巨磁阻效應(yīng)”來(lái)讀取位單元，當(dāng)該層兩側(cè)的磁性方向一致時(shí)表現(xiàn)為低電阻，當(dāng)磁性方向相反時(shí)，電阻會(huì)顯著增加。與其他新興存儲(chǔ)技術(shù)相比，STT-MRAM的耐用性較為出色，并且存儲(chǔ)速度極快，被認(rèn)為是最高級(jí)的緩存存儲(chǔ)器。
 
    STT-MRAM和SOT-MRAM這兩種存儲(chǔ)器有望成為高性能計(jì)算系統(tǒng)（如數(shù)據(jù)中心）分級(jí)存儲(chǔ)體系中的理想選擇。不過(guò)，若要將STT-MRAM或SOT-MRAM用作高密度存儲(chǔ)器，還需在存儲(chǔ)器成本和密度方面進(jìn)行進(jìn)一步的提升。


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