Memory 是 IC 領域最重要的一個領域。目前,這一領域由于其極高的技術壁壘和資本壁壘,在全球形成了極強的寡頭壟斷,三四家廠商壟斷了全球 90%以上的市場。
近幾年,
存儲芯片產品受益于移動智能終端快速滲透,帶來對產品需求的高速增長,過去三年復合增長率 18%,遠高于半導體行業(yè)整體 7%的增長速度,成為整個半導體產業(yè)增長的主要推動力。
未來幾年全球 Memory 市場仍有望保持快速增長。
1)個人電腦與手機等移動終端的需求旺盛,拉動了 DRAM 產值的大幅增加。
? 2)智能手機與固態(tài)硬盤(SSD)將成為 NAND Flash最大需求。
3)3D NAND Flash 成為存儲芯片的重要增長點。
存儲芯片根據斷電后所儲存的數(shù)據是否會丟失,可以分為易失性存儲器(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non-Volatile Memory),其中 DRAM 與 NAND Flash芯片 分別為這兩類存儲器的代表。盡管存儲芯片種類眾多,但從產值構成來看, DRAM 與 NAND Flash 已經成為存儲芯片產業(yè)的主要構成部分。
Memory 產品分類
根據 IHS 的統(tǒng)計,2015 年第三季度三星 DRAM 全球市場占有率達到 45.2%,SK海力士占有率為 27.3%,第三大廠商美光占有率為 20.4%,前三大龍頭合計市占率達到了 93%。在Nand Flash 市場上,2014 年三星市占率為 36.5%,東芝為 31.8%,海力士為 18.9%,美光為 12.8%,前四家廠商幾乎壟斷整個市場。
SDRAM 前三家市占率超 90%
Nand Flash芯片 幾乎被四家廠商壟斷
總結:綜合目前國內產業(yè)現(xiàn)狀來看,發(fā)展存儲器產業(yè),有三條路擺在我們面前:自主研發(fā)、國際并購和兩岸合作。然而有專家指出,兩岸合作解決不了我國大陸存儲器產業(yè)發(fā)展的根本性的技術問題,從自主研發(fā)來看,似乎可以采取研究院所與企業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新的模式。國際并購投入資本很大,在并購的同時,自主研發(fā)必須同步進行。
無論朝哪個方向走,發(fā)展存儲器產業(yè)注定沒有捷徑,有行業(yè)人士發(fā)表觀點,中國存儲要做好長期大規(guī)模投入并虧損準備。