Memory 是 IC 領域最重要的一個領域。目前，這一領域由于其極高的技術壁壘和資本壁壘，在全球形成了極強的寡頭壟斷，三四家廠商壟斷了全球 90%以上的市場。

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　　近幾年，存儲芯片產品受益于移動智能終端快速滲透，帶來對產品需求的高速增長，過去三年復合增長率 18%，遠高于半導體行業(yè)整體 7%的增長速度，成為整個半導體產業(yè)增長的主要推動力。

　　未來幾年全球 Memory 市場仍有望保持快速增長。

       1）個人電腦與手機等移動終端的需求旺盛，拉動了 DRAM 產值的大幅增加。
?       2）智能手機與固態(tài)硬盤（SSD）將成為 NAND Flash最大需求。

       3）3D NAND Flash 成為存儲芯片的重要增長點。

　　存儲芯片根據斷電后所儲存的數(shù)據是否會丟失，可以分為易失性存儲器（Volatile Memory）和非易失性存儲器（Non-Volatile Memory），其中 DRAM 與 NAND Flash芯片 分別為這兩類存儲器的代表。盡管存儲芯片種類眾多，但從產值構成來看， DRAM 與 NAND Flash 已經成為存儲芯片產業(yè)的主要構成部分。

　　
　　Memory 產品分類

　　根據 IHS 的統(tǒng)計，2015 年第三季度三星 DRAM 全球市場占有率達到 45.2%，SK海力士占有率為 27.3%，第三大廠商美光占有率為 20.4%，前三大龍頭合計市占率達到了 93%。在Nand Flash 市場上，2014 年三星市占率為 36.5%，東芝為 31.8%，海力士為 18.9%，美光為 12.8%，前四家廠商幾乎壟斷整個市場。
　　
　　SDRAM 前三家市占率超 90%
　　
　　 Nand Flash芯片 幾乎被四家廠商壟斷

　　總結：綜合目前國內產業(yè)現(xiàn)狀來看，發(fā)展存儲器產業(yè)，有三條路擺在我們面前：自主研發(fā)、國際并購和兩岸合作。然而有專家指出，兩岸合作解決不了我國大陸存儲器產業(yè)發(fā)展的根本性的技術問題，從自主研發(fā)來看，似乎可以采取研究院所與企業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新的模式。國際并購投入資本很大，在并購的同時，自主研發(fā)必須同步進行。

　　無論朝哪個方向走，發(fā)展存儲器產業(yè)注定沒有捷徑，有行業(yè)人士發(fā)表觀點，中國存儲要做好長期大規(guī)模投入并虧損準備。