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鐵電存儲(chǔ)器FRAM

2023-10-07 09:41:58

    鐵電存儲(chǔ)器是在1952年發(fā)明的。貝爾實(shí)驗(yàn)室隨后于1955年構(gòu)建了一個(gè)集成的256位FRAM陣列,作為一個(gè)沒有有源半導(dǎo)體元件的單片器件,三年后,杰克·基爾比(JackKilby)拼湊起來并在德州儀器(TI)發(fā)明了第一個(gè)集成電路。20世紀(jì)80年代末,科羅拉多斯普林斯的一家名為Ramtron的公司完成了FRAM的早期商業(yè)化工作。
 
    FRAM的銷量似乎比所有其他新興內(nèi)存類型的銷量總和還多。富士通在其地鐵票價(jià)卡RFID芯片中使用了FRAM,迄今為止已售出超過40億顆此類芯片。
 
    FRAM利用某些晶格的獨(dú)特物理特性。在這些鐵電材料中,原子可以占據(jù)晶格內(nèi)兩個(gè)穩(wěn)定位置之一。電場(chǎng)將晶格內(nèi)的移動(dòng)原子移動(dòng)到兩個(gè)穩(wěn)定位置之一,具體取決于電場(chǎng)的極性和一些物理屬性(可能是電容或電阻),具體取決于被捕獲原子的位置。
 
    任何類型的40億個(gè)芯片都是很多芯片,即使它被用作地鐵票價(jià)代幣,那么為什么FRAM經(jīng)過這么長(zhǎng)時(shí)間、在運(yùn)送了所有這些數(shù)十億個(gè)芯片之后仍然不為人知呢?半導(dǎo)體晶圓廠經(jīng)理不太喜歡鐵電材料,因?yàn)樗鼈兒性刂芷诒碓?,例如鉛或鉍,很容易污染晶圓廠。因此,F(xiàn)RAM作為非易失性嵌入式片上存儲(chǔ)器的用途有限。相關(guān)報(bào)告也指出,氧化鉿和氧化鋯也可以通過配制來表現(xiàn)出鐵電特性,而且這些材料已經(jīng)因其他原因在晶圓廠中使用,因此FRAM的未來故事很可能會(huì)繼續(xù)下去。


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