目前，實現(xiàn)存算一體有兩種存儲器件的選擇有兩種。
 
    第一種是基于易失性存儲器，例如DRAM和SRAM，但由于DRAM制造工藝和邏輯計算單元的制造工藝不同，無法實現(xiàn)良好的片上融合，而SRAM難以進(jìn)行片上大規(guī)模集成，同時，因為SRAM和DRAM是易失性存儲器，需要持續(xù)供電來保存數(shù)據(jù)，仍存在功耗的問題。
 
    第二種是結(jié)合非易失性新型存儲器。新型存儲器通過阻值變化來存儲數(shù)據(jù)，而存儲器加載的電壓等于電阻和電流的乘積，相當(dāng)于每個單元可以實現(xiàn)一個乘法運算，再匯總相加便可以實現(xiàn)矩陣乘法。在這種情況下，同一單元就可以完成數(shù)據(jù)存儲和計算，消除了數(shù)據(jù)訪存帶來的延遲和功耗，是真正意義上的存算一體。
 
    另外，傳統(tǒng)存儲器所具有的易失性、微縮性差等問題可以被新型非易失性存儲器很好地解決。目前可用于存算一體的成熟存儲器有NOR FLASH、SRAM、DRAM、RRAM、MRAM等。

本文關(guān)鍵詞：SRAM,MRAM

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