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賽普拉斯異步高速SRAM芯片CY7C1041GN

2023-05-23 09:35:48

   CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM,由256K字16位組成。通過斷言芯片使能(CE)和寫入使能(WE)輸入LOW來執(zhí)行數(shù)據寫入,同時在I/O0到I/O15上提供數(shù)據,在A0到A17引腳上提供地址。字節(jié)高使能(BHE)和字節(jié)低使能(BLE)將控制寫入操作輸入到指定存儲器位置的上字節(jié)和下字節(jié)。BHE控制I/O8至I/O15,BLE控制I/O 0至I/O 7。
 
   通過斷言芯片使能(CE)和輸出使能(OE)輸入LOW并在地址線上提供所需地址來執(zhí)行數(shù)據讀取。讀取數(shù)據可在I/O線上訪問(I/O0到I/O15)。字節(jié)訪問可以通過斷言所需的字節(jié)使能信號(BHE或BLE)來執(zhí)行,以從指定的地址位置讀取數(shù)據的上字節(jié)或下字節(jié)。詳情及實現(xiàn)國產替換聯(lián)系英尚微。
 
   特征
   •高速
   •tAA=10納秒/15納秒
   •低有功和備用電流
   •有效電流:ICC=38mA(典型值)
   •備用電流:ISB2=6-mA(典型值)
   •工作電壓范圍:1.65V至2.2V、2.2V至3.6V和4.5V至5.5V
   •1.0-V數(shù)據保留
   •TTL兼容輸入和輸出
   •無鉛44引腳SOJ、44引腳TSOPII和48球VFBGA封裝
 
本文關鍵詞:SRAM,CY7C1041GN

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深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
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