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新型存儲有哪些?

2023-01-11 16:47:30

目前,新興的存儲技術(shù)旨在集成SRAM的開關(guān)速度和DRAM的高密度特性,并具有Flash的非易失特性。新型存儲技術(shù)可主要分為相變存儲器(PCM)、磁變存儲器(MRAM)、阻變存儲器(RRAM/ReRAM)以及鐵電存儲器(FRAM/FeRAM)。
 
相變存儲器通過相變材料相態(tài)的變化獲得不同的電阻值,主要適用于大容量的獨(dú)立式存儲應(yīng)用。磁變存儲器通過磁性材料中磁籌的方向變化改變電阻,主要適用于小容量高速低功耗的嵌入式應(yīng)用。
 
而阻變存儲器則利用阻變材料中導(dǎo)電通道的產(chǎn)生或關(guān)閉實現(xiàn)電阻變化,目前主要用于物理不可克隆芯片(PUF),并有可能在未來的人工智能、存算一體等領(lǐng)域發(fā)揮作用。此外,近年來,存算一體正逐漸成為解決當(dāng)前存儲挑戰(zhàn)的熱門趨勢之一。
 
上述新型存儲技術(shù)都具備一些共性,比如具有非易失性或持久性的特點(diǎn),而所有的主流非易失性存儲器均源自于只讀存儲器(ROM)技術(shù);部分技術(shù)可通過工藝縮小尺寸,從而降低成本;無需使用閃存所需的塊擦除/頁寫入方法,從而大大降低了寫入耗電需求,同時提高了寫入速度。下表為新型存儲技術(shù)關(guān)鍵指標(biāo)對比:
 
新型存儲技術(shù)關(guān)鍵指標(biāo)對比

指標(biāo) PCM MRAM RRAM FRAM
非易失性
工作電壓 較高(>3V) 較低(<1.5V) 較低(<1.5V) /
多級
持久性 更佳 更佳 /
兼容性 與CMOS兼容 與CMOS兼容 與CMOS兼容 與CMOS兼容
代表公司 英特爾、美光 Everspin Crossbar 英飛凌、富士通半導(dǎo)體
商用領(lǐng)域 混合固態(tài)盤、持久內(nèi)存 嵌入式 / IC卡、MCU


本文關(guān)鍵詞:MRAM,SRAM,FRAM


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