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256Mb自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM-EMD3D256M DDR3

2022-09-02 15:08:49

EMD3D256M DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM是一種容量為256Mb(32Mb x 8、16Mb x 16)DDR3的非易失性存儲器,可在DDR3速度下提供非易失性和高耐用性。能夠以高達 1333MT/Sec/Pin的速率進行DDR3操作。符合所有DDR3 DRAM功能,包括設備端接 (ODT) 和內(nèi)部ZQ校準,但具有數(shù)據(jù)持久性和極高的寫入周期耐久性的優(yōu)勢。采用Spin-Torque MRAM 技術(shù),無需單元刷新,極大地簡化了系統(tǒng)設計并降低了開銷。
 
Everspin自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM所有控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時鐘同步,輸入鎖存在時鐘交叉點。I/O與一對雙向選通脈沖(DQS、DQS)同步。采用 RAS/CAS 多路復用方案,工作電壓為 1.5V。更多產(chǎn)品詳情請洽英尚國際。
 
DDR3 STT-MRAM是一種高速自旋扭矩磁阻隨機存取存儲器。每當設備因任何原因斷電時,關閉/預充電銀行中的所有數(shù)據(jù)都會保留在內(nèi)存中。在某些情況下,命令時間會有所不同。DDR3 標準適用于高于256Mb的密度,從而導致尋址和頁面大小不同。


本文關鍵詞:STT-MRAM,Everspin


上一篇文章:雙電源8位I/O并行接口MRAM芯片MR256D08BMA45R


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