相變存儲器和磁性ram兩種新興的非易失性存儲器類型，將在未來十年引領它們在獨立存儲器領域的領先地位。
 
雖然目前有多種新興內(nèi)存技術正在開發(fā)中，英特爾的相變內(nèi)存稱為 3D XPoint 內(nèi)存或 Optane 將在 2025 年和 2030 年主導獨立的新興非易失性內(nèi)存市場，這是部分原因是英特爾虧本出售內(nèi)存。
 
新興內(nèi)存定義為 PCM、MRAM、ReRAM 和 FeRAM 以及其他。不包括NAND、DRAM、NOR、SRAM、EEPROM等。
 
由英特爾提供的 PCM 將在 2025 年占獨立新興內(nèi)存市場的 90%，而 MRAM將排在第二位，到 2030 年仍將如此。


本文關鍵詞：PCM,MRAM,SRAM

相關文章： 10座新晶圓廠投產(chǎn)

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。