Everspin Technologies是全球領先的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)非易失性解決方案生產商，為全球存儲器應用提供非易失性解決方案，在2021年12月8日，該公司贏得了2021年SEMI美洲獎。
 
Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢德勒，因與GlobalFoundries合作開發(fā)首個商業(yè)化自旋轉移矩(STT)存儲器而獲獎。采用28nm工藝的新型Everspin1-gigabayte(GB)STT-MRAM設備是同類產品中的世界首創(chuàng)。MRAM提供類似于SRAM的性能特征，同時在系統(tǒng)斷電期間保持其電荷和數(shù)據(jù)。
 
STT-MRAM存儲元件的實施使應用材料、佳能-Anelva、LAMResearch和東京電子開發(fā)的一類新工藝工具的部署成為可能。
 
STT-MRAM有潛力成為領先的存儲技術。其高性能內存可與DRAM和SRAM相媲美，同時可縮小到10納米(nm)以下，而且閃存成本低。
 
STT-MRAM是業(yè)界最強大、最通用的非易失性存儲器，它有望讓日常電子產品更快地訪問數(shù)據(jù)，同時消耗更少的功率。
 
Everspin的開創(chuàng)性開發(fā)和STT-MRAM的推出為先進的存儲技術鋪平了道路，使芯片規(guī)模得以延續(xù)。
 
Everspin是設計制造分立式Toggle MRAM和SST-MRAM并將其商業(yè)運送到數(shù)據(jù)持久性和完整性、低延遲和安全性至關重要的市場和應用中。該公司擁有超過1.3億個MRAM和SST-MRAM產品，部署在數(shù)據(jù)中心、云存儲、能源、工業(yè)和運輸市場，包括汽車。

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