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使用非易失性FRAM替換SRAM時的問題和解決方案

2022-01-05 09:20:22

       FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點。
 
       富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億次,運行速度與SRAM相同,TSOP封裝與SRAM兼容。MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口,可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)運行。
 
       在快速頁面模式下,F(xiàn)RAM能夠運行到25ns,在連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸時,其訪問速度與SRAM一樣高。與富士通的傳統(tǒng)FRAM產(chǎn)品相比,它不僅實現(xiàn)了更高的運行速度,而且降低了功耗。該FRAM的最大寫入電流為18mA,比目前的產(chǎn)品低10%,最大待機電流為150µA,低50%。
 
       在某些情況下可以省去SRAM所需的數(shù)據(jù)備份電池。富士通的FRAM產(chǎn)品可以解決因用非易失性存儲器取代SRAM而產(chǎn)生的以下問題:
 
       問題:更改接口設(shè)計和PCB設(shè)計的額外工作
       解決方案:使用與SRAM接口和SRAM封裝兼容的FRAM
 
       問題:難以用寫入速度非常慢的非易失性存儲器替代
       解決方案:使用具有快速寫入操作的FRAM,頁面模式下最大25ns
 
       問題:寫入壽命高達10萬億次導(dǎo)致設(shè)計限制
       解決方案:使用寫入壽命高達100萬億次的FRAM

本文關(guān)鍵詞:FRAM,SRAM,富士通


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