MRAM像SRAM一樣是快速寫入的，而像Flash一樣也是非易失性的，但是不需要頁(yè)面擦除或長(zhǎng)寫入周期。事件數(shù)據(jù)可以以總線速度保存到MRAM，并且即使意外斷電或掉電也可以保持持久性。本篇文章Everspin代理商英尚微電子介紹一款應(yīng)用在汽車上的Everspin 1Mb串行MRAM芯片MR25H10MDCMDC。
 
MR25H10MDC是一款位寬為128Kx8的非易失性MRAM存儲(chǔ)器，提供串行EEPROM和串行閃存兼容讀/寫時(shí)序，無寫延遲和無限讀/寫耐久性。MR25H10MDC與其他串行存儲(chǔ)器不同，讀取和寫入都可以在存儲(chǔ)器中隨機(jī)發(fā)生，寫入之間沒有延遲。對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，MR25H10MDC是理想的存儲(chǔ)器解決方案。
 
MR25H10MDC采用5mmx6mm 8引腳DFN封裝。與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。MR25H10MDC在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。該產(chǎn)品提供工業(yè)（-40°至+85℃）和車規(guī)AEC-Q1001級(jí)（-40℃至+125℃）工作溫度范圍選項(xiàng)。因此，此款MR25H10MDC非常適合使用在汽車應(yīng)用上。
 
MR25H10MDC具有無寫入延遲、無限寫入耐久性等特征，數(shù)據(jù)保留可超過20年。斷電時(shí)自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)。具備塊寫保護(hù)。快速、簡(jiǎn)單的SPI接口，時(shí)鐘速率高達(dá)40MHz，電源范圍在2.7~3.6V。低電流睡眠模式，可直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM。everspin代理英尚微電子可提供樣品測(cè)試及產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。


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