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?Everspin MRAM MR25H40VDF替換富士通FRAM MB85RS4MT

2020-09-27 10:19:51

Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM到市場(chǎng)和應(yīng)用的翹楚,在這些市場(chǎng)和應(yīng)用中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性是至關(guān)重要。MR25H40VDF是一個(gè)4194,304位MRAM設(shè)備系列,組織為524,288個(gè)8位字。對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序,它們是理想的內(nèi)存解決方案。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時(shí)序,沒有寫延遲并且讀/寫壽命不受限制。與其他串行存儲(chǔ)器不同,使用MR25H40VDF系列,讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機(jī)發(fā)生,而寫入之間沒有延遲。
 
總覽
MR25H40VDF系列是SPI接口MRAM系列,其存儲(chǔ)器陣列使用芯片選擇(CS\),串行輸入(SI),串行輸出(SO)和串行串行時(shí)鐘(SCK)的四針接口邏輯上組織為512Kx8外設(shè)接口(SPI)總線。MRAM實(shí)現(xiàn)了SPI EEPROM和SPI Flash組件通用的命令子集。這樣SPI MRAM可以替換同一插槽中的這些組件,并在共享的SPI總線上進(jìn)行互操作。與其他串行存儲(chǔ)器替代品相比SPI MRAM具有卓越的寫入速度,無(wú)限的耐用性,低待機(jī)和運(yùn)行能力以及簡(jiǎn)單,可靠的數(shù)據(jù)保留。
 
MR25H40VDF的優(yōu)點(diǎn)
與富士通FRAM相比,升級(jí)到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢(shì):
•更快的隨機(jī)訪問(wèn)操作時(shí)間(50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK)
•高可靠性和數(shù)據(jù)保留(在125C工作溫度下超過(guò)20年)
•無(wú)限讀/寫耐久性
•無(wú)磨損問(wèn)題
•掉電時(shí)的自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)
•競(jìng)爭(zhēng)定價(jià)
•穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈
 
 
普通引腳
MR25H40VDF是組織為512Kx8的4Mb非易失性RAM,采用標(biāo)稱3.3V電源供電,并且與FRAM兼容。它提供標(biāo)準(zhǔn)的8引腳Small Flag DFN(DF版)和8引腳DFN(DC版),它們具有多種封裝選項(xiàng),可直接替代SPI-FRAM 8引腳塑料SOP封裝(表格1)。

特性/功能 SPI MRAM (MR2xH40) SPI F-RAM (MB85RS4MT) 注釋
8-pin DFN裸露金屬PAD 除VSS外,請(qǐng)勿連接其他任何東西 無(wú)法使用 MRAM 8引腳DFN封裝的裸露金屬焊盤是NC(無(wú)連接)焊盤; 因此,它可以浮置或連接到VSS。 Everspin不建議將MRAM DFN裸露金屬焊盤焊接到PCB上
8-pin 封裝 8-pin DFN (MR2xH40xDC
8-pin DFN (Small Flag)
(MR2xH40xDF)
8-pin plastic SOP  MRAM的8引腳DFN封裝都是引腳兼容的,并且適合Fujitsu 8引腳SOIC封裝。 在大多數(shù)設(shè)計(jì)中,它們可以放置在標(biāo)準(zhǔn)SOIC尺寸上。 另請(qǐng)參見應(yīng)用筆記“ EST01253 Everspin的新型2mm裸露焊盤DFN封裝符合SOIC-8和DFN8 PCB布局”

 
SPI MRAM裸露金屬焊盤未連接至芯片,因此應(yīng)懸空或連接至Vss。從SPI FRAM遷移時(shí),請(qǐng)確保SPI MRAM DFN和Small Flag DFN封裝的裸露金屬焊盤未焊接在PCB上。這樣做會(huì)導(dǎo)致SPI MRAM芯片暴露于過(guò)多的熱量中,這可能會(huì)導(dǎo)致位故障和裕量損失。
 
 
本文關(guān)鍵詞: MRAM   

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