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三星推出10nmSRAM存儲(chǔ)器

2017-02-24 14:03:14

      據(jù)韓國(guó)知名媒體報(bào)道,三星半導(dǎo)體公司現(xiàn)在已經(jīng)研發(fā)出了世界上第一顆基于10nm FinFET工藝的SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。其實(shí)IBM半導(dǎo)體聯(lián)盟在今年7月份的時(shí)候就創(chuàng)造出了世界上第一個(gè)10nm的晶圓,但是由于10nm工藝的技術(shù)難題,很多半導(dǎo)體廠家都相繼推遲了它們的10nm工藝的計(jì)劃。

                                                  

       現(xiàn)在的SRAM大多數(shù)都是用于CPU的緩存,并且基于10nm的SRAM相比于14nm工藝而言,它的面積能夠減少30%左右,這就意味著可以一定程度的降低CPU的功耗與CPU發(fā)熱,同時(shí)能夠以更小的面積塞進(jìn)更多緩存,能夠很有效的提高CPU的性能。
       就現(xiàn)在各家的10nm進(jìn)展而言,IBM公司的商用10nm工藝最快也要到2018年的時(shí)候才會(huì)正式面世,Intel公司的10nm也已經(jīng)計(jì)劃推遲到2017年發(fā)布,臺(tái)積電方面則是宣布將在2017年第一季度量產(chǎn)10nm的CPU,而且根據(jù)三星公司現(xiàn)在的計(jì)劃與進(jìn)展,10nm的量產(chǎn)CPU最快將會(huì)在2016年底實(shí)現(xiàn),也許Galaxy S8還能趕上10nm SoC的首發(fā)也說(shuō)不準(zhǔn)。

                                                 
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