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STM32F4驅(qū)動(dòng)外部SRAM芯片XM8A51216

2020-06-30 09:30:54

星憶存儲(chǔ)為電子工業(yè)提供新一代的高性能、高密度、低功耗、低成本的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。專注于XRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì),提供低延時(shí),低功耗和免刷新動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器產(chǎn)品致力于通過(guò)創(chuàng)新型存儲(chǔ)技術(shù)商業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化的過(guò)程,帶動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的底層技術(shù)攻關(guān)和相關(guān)科研工作,從而推動(dòng)國(guó)家存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)前端產(chǎn)業(yè)變革和更進(jìn)一步的發(fā)展。接下來(lái)星憶代理商介紹在STM32F4開(kāi)發(fā)板STM32F4驅(qū)動(dòng)外部SRAM芯片XM8A51216。
 
STM32F407ZGT6自帶了192K字節(jié)的SRAM,對(duì)一般應(yīng)用來(lái)說(shuō),已經(jīng)足夠了,不過(guò)在一些對(duì)內(nèi)存要求高的場(chǎng)合,STM32F4自帶的這些內(nèi)存就不夠用了。比如跑算法或者跑GUI等,就可能不太夠用,所以STM32F4開(kāi)發(fā)板板載了一顆1M字節(jié)容量的SRAM芯片,XM8A51216,滿足大內(nèi)存使用的需求。我們將使用STM32F4來(lái)驅(qū)動(dòng)XM8A51216,實(shí)現(xiàn)對(duì)XM8A51216的訪問(wèn)控制,。
 
XM8A51216簡(jiǎn)介
XM8A51216是星憶存儲(chǔ)科技公司生產(chǎn)的一顆16位寬512K(512*16,即1M字節(jié))容量的CMOS靜態(tài)內(nèi)存芯片。該芯片具有如下幾個(gè)特點(diǎn):
?高速。具有最高訪問(wèn)速度10/12ns。
?低功耗。
?TTL電平兼容。
?全靜態(tài)操作。不需要刷新和時(shí)鐘電路。
?三態(tài)輸出。
?字節(jié)控制功能。支持高/低字節(jié)控制。
XM8A51216的功能框圖如圖1所示:


圖1 XM8A51216功能框圖
 
圖中A0~18為地址線,總共19根地址線(即2^19=512K,1K=1024);DQ0~15為數(shù)據(jù)線,總共16根數(shù)據(jù)線。CEn是芯片使能信號(hào),低電平有效;OEn是輸出使能信號(hào),低電平有效;WEn是寫(xiě)使能信號(hào),低電平有效;BLEn和BHEn分別是高字節(jié)控制和低字節(jié)控制信號(hào);STM32F4開(kāi)發(fā)板使用的是TSOP44封裝的XM8A51216芯片,該芯片直接接在STM32F4的FSMC上,XM8A51216原理圖如圖2所示:


圖2 XM8A51216原理圖

從原理圖可以看出,XM8A51216同STM32F4的連接關(guān)系:
A[0:18]接FMSC_A[0:18](不過(guò)順序錯(cuò)亂了)
D[0:15]接FSMC_D[0:15]
UB接FSMC_NBL1
LB接FSMC_NBL0
OE接FSMC_OE
WE接FSMC_WE
CS接FSMC_NE3
上面的連接關(guān)系,XM8A51216的A[0:18]并不是按順序連接STM32F4的FMSC_A[0:18],不過(guò)這并不影響我們正常使用外部SRAM,因?yàn)榈刂肪哂形ㄒ恍?。所以只要地址線不和數(shù)據(jù)線混淆,就可以正常使用外部SRAM。這樣設(shè)計(jì)的好處,就是可以方便我們的PCB布線。
 
 
本文關(guān)鍵詞:SRAM    


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