三星、海力士爭搶未來存儲(chǔ)市場
2017-02-22 14:50:49
據(jù)悉,SK海力士將在錫啟動(dòng)第二工廠建設(shè),二期投資36億美元,估計(jì)未來應(yīng)該會(huì)做Flash;三星電子于2017~2018年,將對(duì)西安3D NAND Flash廠加大投資力度,業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元),以迎接
存儲(chǔ)芯片場史上最大需求浪潮。
業(yè)內(nèi)人士都能看出來這是在針對(duì)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),目的是抑制紫光長江存儲(chǔ)的建設(shè)發(fā)展。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩大國際頂級(jí)巨頭,同時(shí)針對(duì)紫光,必定有備而來。實(shí)際上巨頭巨額投入,資源、人才、客戶的爭搶必然走入死胡同,低價(jià)競爭必然不可取,不知道紫光如何應(yīng)對(duì)?
紫光現(xiàn)在手握大量資金,卻一直沒有遇到好的項(xiàng)目,去年底強(qiáng)勢并購中芯,中芯董事長周子學(xué)以紫光旗下 IC 設(shè)計(jì)公司展訊、紫光國芯為由,指出其將與中芯、高通等客戶產(chǎn)生利益沖突,力保中芯的獨(dú)立性,才止住紫光并中芯的計(jì)劃。
因?yàn)镈RAM價(jià)格因供給短缺而以高角度上揚(yáng)之賜,韓國兩大存儲(chǔ)器廠三星與SK海力士,今年半導(dǎo)體營業(yè)利潤年增五成,來到史無前例的25兆韓圜。
存儲(chǔ)器市況從去年一路走高,2017年供給有限,而市場需求增加的狀況下,存儲(chǔ)器今年有望延續(xù)漲勢。近期DRAM漲勢主要由三星主導(dǎo),且漲勢仍未平息,首季標(biāo)準(zhǔn)型DRAM漲幅逾三成,服務(wù)器用DRAM漲幅在25~30%、移動(dòng)DRAM約15~20%。三大應(yīng)用領(lǐng)域同飆,讓主要供應(yīng)商SK海力士、三星、美光去年?duì)I運(yùn)翻身,股價(jià)也大爆發(fā),尤其美光股價(jià)大漲1.3倍,格外受到矚目。
紫光武漢廠動(dòng)工的節(jié)點(diǎn),三星、海力士同時(shí)加碼存儲(chǔ)器。爭搶未來市場的動(dòng)機(jī)明顯,武漢新芯(長江存儲(chǔ))未來競爭將會(huì)難上加難,技術(shù)、市場、人才可謂沒可能與兩大巨頭抗衡,依靠資金換未來的方法也不知道能否成功。