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eMRAM究竟是融合還是替代?

2020-03-31 09:52:40

eMRAM屬于新型存儲(chǔ)技術(shù),同目前占據(jù)市場主流的NAND閃存相比較,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯片的潛質(zhì)。它在22nm的工藝下投產(chǎn),將會(huì)加快新型存儲(chǔ)技術(shù)的應(yīng)用進(jìn)程,未來發(fā)展前景將被看好。
 
新型存儲(chǔ)器芯片具有更快的存取速度和更好的耐用性,更小的裸片尺寸及成本和功耗等性能優(yōu)勢。例如以統(tǒng)合式 MRAM 解決方案取代微控制器中的eFlash和SRAM,可節(jié)省90%的功耗。不過目前下一代存儲(chǔ)器在量產(chǎn)制程方面仍然存在很多瓶頸。
 

eMRAM等新型存儲(chǔ)器芯片將會(huì)取代DRAM和NAND FLASH成為市場主流嗎?eMRAM只會(huì)取代部分DRAM和NAND的使用量,但仍是沒有辦法完全取代現(xiàn)有的存儲(chǔ)器解決方案。在所有新一代存儲(chǔ)器芯片中,eMRAM的電信特性與DRAM和NAND Flash來說是極其的相似,具備一定的優(yōu)缺點(diǎn),并未具備完全的替代DRAM和NAND Flash的性能。使用新一代存儲(chǔ)器芯片對(duì)于傳統(tǒng)平臺(tái)來說,需要改變以往的平臺(tái)架構(gòu)才能適應(yīng),并不是可以輕松使用的。。
 
也就是說新一代存儲(chǔ)器想要獲得一定的市場空間,還需要與現(xiàn)有的存儲(chǔ)器芯片解決方案進(jìn)行配合,加快適應(yīng)傳統(tǒng)平臺(tái)的架構(gòu),釋放性能方面的優(yōu)勢。行業(yè)領(lǐng)先半導(dǎo)體供應(yīng)商的EVERSPIN致力于生產(chǎn)研發(fā)MRAM,eMRAM存儲(chǔ)芯片,滿足市場的一切需求。
 
 
本文關(guān)鍵詞:eMRAM

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