STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫(xiě)入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，是磁性存儲(chǔ)器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲(chǔ)的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，它省略了帶磁性外殼的附加寫(xiě)信息線(xiàn)，最大限度地減少了制備工藝程序，并使存儲(chǔ)單元的橫截面積減小、存儲(chǔ)密度高、存儲(chǔ)速度快，滿(mǎn)足高性能計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)要求。
 
研究人員建議用反鐵磁材料制造STT-MRAM器件-與目前使用的鐵磁材料相反。研究人員說(shuō)這些材料將使高密度器件能夠以低電流實(shí)現(xiàn)高速寫(xiě)入。
 
反鐵磁性材料在微觀尺度上有磁性，但在宏觀尺度上卻沒(méi)有。這意味著用這些材料制成的MRAM單元的相鄰位之間沒(méi)有磁力-這意味著您可以將它們非常緊密地包裝在一起。
 
研究人員還證明，電流可用于可逆地切換在重金屬底層上構(gòu)圖的反鐵磁存儲(chǔ)位，并且重要的是，首次使用與現(xiàn)有半導(dǎo)體制造技術(shù)完全兼容的材料來(lái)進(jìn)行此操作。另外該工作實(shí)現(xiàn)了迄今為止報(bào)道的用于切換反鐵磁材料的最低電流密度。


最后研究人員還表明，該設(shè)備可以設(shè)計(jì)為模擬（憶阻）元件，而不是雙穩(wěn)態(tài)元件，這意味著它可以在神經(jīng)形態(tài)計(jì)算的突觸中找到應(yīng)用。
 
STT-MRAM芯片具有重要的軍事應(yīng)用，在抗惡劣環(huán)境高性能計(jì)算機(jī)、軍用衛(wèi)星、導(dǎo)彈、火箭、航天飛行器控制和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中都需要具有超高密度、超大容量、超低能耗、隨機(jī)存儲(chǔ)、非易失性、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、抗輻照能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。英尚微電子已為廣大用戶(hù)提供了大量的EVERSPIN MRAM芯片及STT-MRAM.可提供樣品及技術(shù)支持。
 

本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM

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