完成SRAM芯片的測(cè)試，需要設(shè)計(jì)測(cè)試電路板。測(cè)試電路板主要提供測(cè)試接口和電源。芯片的控制信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)由紅色颶風(fēng)II-Xilinx FPGA 開發(fā)板提供，使用ISE13.2 軟件建立測(cè)試工程，編寫Verilog 測(cè)試程序（主要包括按照時(shí)序提供分頻后的測(cè)試時(shí)鐘、數(shù)據(jù)信號(hào)和控制信號(hào)），通過JTAG 下載到FPGA 的PROM 中，重新上電進(jìn)行測(cè)試，通過RIGOL DS1102CA 雙通道示波器捕捉信號(hào)。
 
將示波器的通道1連接到寫使能信號(hào)，通道2連接到數(shù)據(jù)端D7。如圖1 所示，上方的波形為通道1接收的數(shù)據(jù)，下而的波形為通道2接收的數(shù)據(jù)。設(shè)計(jì)輸入向量測(cè)試，當(dāng)?shù)刂窞镺OO時(shí)，將片選端CS置為低電平，圖1 中，A區(qū)WT=*0”，RD=“1“，RD= “0”，讀出寫入數(shù)據(jù) 為“0”; B區(qū)WT=“1”，數(shù)據(jù)為“0”; C 區(qū)WT=“0”，RD=“1”，寫入數(shù)據(jù)為“1”D 區(qū)WT-“1”，RD-“1”，為了更好地觀察讀出“1”時(shí)端口的電平變化，該段不進(jìn)行讀寫，在輸出端口上加弱的低電平信號(hào); E區(qū)WT=“1”，RD=“0”，讀出數(shù)據(jù)為“1”，可明顯地看到讀出數(shù)據(jù)“1”的過程。從圖中可以看到數(shù)據(jù)“0”和“1”被成功地寫入和讀出。

 
為驗(yàn)證實(shí)際的芯片是否可以達(dá)到設(shè)計(jì)指標(biāo)，參考仿真方法，輸入測(cè)試向量，以D7為例，寫入10100011后讀出SRAM 中的數(shù)據(jù)，波形如圖2 所示。遍歷OOO到111所有地址，寫入并讀出數(shù)據(jù)，驗(yàn)證每個(gè)數(shù)據(jù)端是否能夠正常工作，結(jié)果顯示每個(gè)數(shù)據(jù)端口功能正確。

 
存取時(shí)間也是SRAM的一個(gè)重要參數(shù)，它可以表示存儲(chǔ)器的工作速度。測(cè)量得到，存取時(shí)間=299.4ns-293.2測(cè)量存取時(shí)間時(shí)，不同的數(shù)據(jù)端口會(huì)有ns=6.2ns。較小差別，這與實(shí)際芯片制造和不可避免的測(cè)量誤差均有關(guān)。
 
測(cè)試可知：當(dāng)電源電壓為3.3MHZ。工作時(shí)，測(cè)得電作正常，工作頻率可達(dá)20源上的最大電流約為1.8545由此可得功耗絲mA，為6.11985mW。


本文關(guān)鍵詞：SRAM芯片 

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