EVERSPIN推出一款串行MRAM存儲芯片MR25H40CDC工作電壓為3.3V,容量為4Mbit數(shù)據(jù)位寬8位，工作溫度范圍：-40℃ to +85℃，采用5 mm x 6 mm 8引腳DFN封裝封裝，擁有非常出色的耐讀/寫能力，MR25H40CDC兼容兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時(shí)序，可應(yīng)用在數(shù)據(jù)存儲、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、運(yùn)輸?shù)阮I(lǐng)域的非易失性存儲器。
 
全球開發(fā)和制造獨(dú)立式與嵌入式磁性隨機(jī)存儲器MRAM存儲芯片和集成磁傳感器的領(lǐng)導(dǎo)業(yè)者Everspin科技公司，在運(yùn)算、存儲、工業(yè)和辦公自動化市場，Everspin MRAM技術(shù)開發(fā)最先進(jìn)的產(chǎn)品已被越來越多的領(lǐng)導(dǎo)廠商采用。英尚微電子代理Everspin科技的全系列MRAM存儲芯片產(chǎn)品，MRAM存儲芯片具高可靠性、快速讀/寫、即時(shí)開啟、非揮發(fā)性、和無限次擦除等特性，Everspin科技的MRAM存儲芯片包括提供BGA和TSOP兩種封裝可選、容量從256Kb 到16Mb 的8位和16位并行I/O產(chǎn)品以及采用DFN封裝、容量從256Kb到1Mb的串行I/O產(chǎn)品。

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