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三星、英特爾加快嵌入式MRAM商用腳步

2019-02-25 14:20:37

全球兩大半導(dǎo)體巨擘——英特爾(Intel)、三星(Samsung)在上周舉辦的第64屆國際電子組件會議(IEDM)上,發(fā)表嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝的新技術(shù)。

英特爾介紹整合于其22FFL工藝的自旋轉(zhuǎn)移力矩(STT)-MRAM非揮發(fā)內(nèi)存之關(guān)鍵特性,并指稱這是“首款基于FinFET的MRAM技術(shù)”。英特爾表示該技術(shù)目前已經(jīng)“生產(chǎn)就緒”(production-ready),但并沒透露有哪一家代工廠采用這一工藝;不過,根據(jù)多個(gè)消息來源顯示,該技術(shù)已經(jīng)用于目前出貨中的產(chǎn)品了。

同時(shí),三星(Samsung)介紹在其28nm FDSOI工藝制造的STT-MRAM。從可擴(kuò)展性、形狀可調(diào)整以及磁可擴(kuò)展性方面來看,STT-MRAM被視為是目前最佳的MRAM技術(shù)。

隨著業(yè)界持續(xù)邁向更小技術(shù)節(jié)點(diǎn),DRAM和NAND閃存(flash)正面對著嚴(yán)苛的微縮挑戰(zhàn),MRAM因而被視為有望取代這些內(nèi)存芯片的備選獨(dú)立式組件。此外,這種非揮發(fā)性內(nèi)存由于具備快速讀/寫時(shí)間、高耐受度以及強(qiáng)勁的保留能力,也被視為極具吸引力的嵌入式技,適用于取代Flash和嵌入式SRAM。嵌入式MRAM被視為特別適用于像物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備之類的應(yīng)用。

MRAM.png

電子顯微鏡影像顯示MTJ數(shù)組的橫截面,該數(shù)組嵌入于英特爾22nm FinFET邏輯工藝中的Metal 2和Metal 4之間

但隨著制造成本降低以及其他內(nèi)存技術(shù)面對微縮挑戰(zhàn),嵌入式MRAM越來越受青睞。重要的是,隨著新的工藝技術(shù)進(jìn)展,SRAM內(nèi)存單元的尺寸并不會隨著其后的先進(jìn)工藝而縮小,因此,MRAM將會變得越來越有吸引力。

其嵌入式MRAM技術(shù)在攝氏200°溫度下可實(shí)現(xiàn)10年的數(shù)據(jù)保留能力,耐受度超過106個(gè)開關(guān)周期。該技術(shù)使用216×225 mm 1T-1R內(nèi)存單元。

同時(shí),三星稱其8Mb MRAM的耐受度為106個(gè)周期,同樣支持10年的保留能力。

Song表示,三星的技術(shù)一開始將先針對物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用,并將在提高可靠性之后,陸續(xù)導(dǎo)入汽車和工業(yè)應(yīng)用。“我們已成功將該技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)移到晶圓廠,預(yù)計(jì)在不久的將來上市。”

而一直立足于MRAM市場領(lǐng)域的EVERSPIN卻已經(jīng)早將STT-MRAM商業(yè)化,推出了并口,串口,DDR3等接口的MRAM產(chǎn)品,Everspin Technologies是一家開發(fā)和制造磁性RAM或磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)的公共半導(dǎo)體公司,其中包括獨(dú)立和嵌入式MRAM產(chǎn)品以及自旋扭矩MRAM(ST-MRAM)。Everspin Technologies提供Toggle MRAM,自旋轉(zhuǎn)矩MRAM,嵌入式MRAM,磁性傳感器以及航空和衛(wèi)星電子系統(tǒng),公司產(chǎn)品應(yīng)用于工業(yè),汽車,運(yùn)輸和企業(yè)存儲市場。

本文關(guān)鍵詞:MRAM

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