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工業(yè)固態(tài)硬盤(pán)應(yīng)用MRAM存儲(chǔ)芯片的優(yōu)勢(shì)

2018-08-01 14:50:40

固態(tài)硬盤(pán)
對(duì)工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)了解的都清楚固態(tài)硬盤(pán)里面的超級(jí)電容,而對(duì)于工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)為什么會(huì)采用鉭電容,主要的目的是為了保持?jǐn)?shù)據(jù),因?yàn)楫?dāng)固態(tài)硬盤(pán)遭遇突然斷電的時(shí)候,鉭電容就會(huì)用自身的電量將存儲(chǔ)在RAM中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到ROM中,防止數(shù)據(jù)因?yàn)閿嚯妬G失,工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)鉭電容的位置如圖所示,占據(jù)了盤(pán)內(nèi)不少的位置,并且工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)采用鉭電容存在以下幾個(gè)弊端
  1. 電容本身故障率會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失,工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)應(yīng)用的環(huán)境相對(duì)比較苛刻,一般不是封閉高溫就是各種復(fù)雜的室外環(huán)境,對(duì)電容的要求性比較好,也容易造成電容出現(xiàn)功能性的故障,同時(shí)電容本身也存在不良率的情況也會(huì)間接的影響數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),
  2. SSD掉電恢復(fù)設(shè)計(jì)最復(fù)雜,掉電后數(shù)據(jù)恢復(fù)本身就是一項(xiàng)非常復(fù)雜的事,在精密的設(shè)計(jì)里面一環(huán)緊扣一環(huán),變量系數(shù)太大一旦不慎也是導(dǎo)致數(shù)據(jù)全盤(pán)丟失。
  3. 緩存容量不能太大,這對(duì)工業(yè)級(jí)的固態(tài)硬盤(pán)來(lái)說(shuō)是個(gè)硬傷,因?yàn)殡娙菽軌蛱峁┑碾娏坑邢?,緩存過(guò)大而電容電量不足也是不夠時(shí)間將數(shù)據(jù)寫(xiě)入閃存中,
目前來(lái)說(shuō)大部分的工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)是采用閃存記憶體來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),除了閃存之外還可以使用MRAM存儲(chǔ)芯片作為緩存的設(shè)計(jì)這樣子緩存數(shù)據(jù)掉電后還可以保持?jǐn)?shù)據(jù),而且進(jìn)入3D TLC時(shí)代后,在One Shot編程模式下,也不用考慮Lower Page Corruption這種問(wèn)題了。
 
所以,我們很快就會(huì)發(fā)現(xiàn)MRAM的一大用途——SSD的緩存芯片,這樣緩存數(shù)據(jù)掉電后還在,而且進(jìn)入3D TLC時(shí)代后,在One Shot編程模式下,也不用考慮Lower Page Corruption這種問(wèn)題了。
 
使用MRAM存儲(chǔ)芯片作為SSD固態(tài)硬盤(pán)的優(yōu)勢(shì)如下:
1. 掉電恢復(fù)變得簡(jiǎn)單:以前關(guān)于電容和各種變量、內(nèi)部管理數(shù)據(jù)等的保存、恢復(fù)都不需要了;
2. 數(shù)據(jù)更安全:即使掉了電,緩存數(shù)據(jù)和關(guān)鍵管理數(shù)據(jù)還在MRAM里面,上電后繼續(xù)用;
3. 掉電恢復(fù)時(shí)間更快:管理數(shù)據(jù)還在MRAM里面,上電后直接就用了,少了一個(gè)恢復(fù)的過(guò)程;
4. 隨機(jī)性能更高:MRAM是可以按字節(jié)隨機(jī)訪問(wèn)的,而且隨機(jī)性能很高,所以作為寫(xiě)緩存,提升IOPS;
5. 應(yīng)用場(chǎng)景更廣泛:很多苛刻的大電容不適合的室外環(huán)境也可以有掉電保護(hù);MRAM是芯片,符合工業(yè)級(jí)的寬溫要求。
6. 降低成本。MRAM比電容還貴,怎么降低?設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單了,測(cè)試也就簡(jiǎn)單了,成本自然就下架了 。
 
Everspin科技公司目前是全球第一家提供MRAM存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品,目前推出最新款的產(chǎn)品STT-MRAM產(chǎn)品,單顆芯片容量可達(dá)32MB,可以做SSD固態(tài)硬盤(pán)的緩存綽綽有余,如下圖,MRAM的讀寫(xiě)延遲只有10微秒左右,而且在命令很多的情況下,延遲QoS非常穩(wěn)定,波動(dòng)在2微秒之內(nèi)。而SSD的延遲在100微秒,同時(shí)命令多了之后,延遲更長(zhǎng)。
 
 
另外Everspin還推出了一款1GB容量的加速卡,可以達(dá)到150萬(wàn)IOPS,6.26微秒延遲,
可以用來(lái)做NV DIMM了,而且不需要電池。如果自己開(kāi)發(fā)的話(huà),Everspin還提供MRAM控制器的IP。


本文關(guān)鍵詞:Everspin

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