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存儲芯片NAND Flash封裝EMI遮蔽技術(shù)未來如何走下去

2017-01-06 15:54:09

      2012年9月份蘋果(Apple)推出的iPhone 5開始,就提出要使用有防電磁波干擾遮蔽技術(shù)的NAND Flash封裝用于iPhone手機(jī),在技術(shù)上三星未能滿足蘋果這個要求,之后蘋果未使用三星的NAND Flash存儲芯片 ,也使三星在這項(xiàng)技術(shù)上開始快馬加鞭投入研發(fā),
SK海力士(SK Hynix)正在評估噴霧式電磁波干擾(Electromagnetic Interference;EMI)遮蔽(Shielding)技術(shù)量產(chǎn)可能性,預(yù)計會接手過去委外進(jìn)行的EMI遮蔽工藝,開展研發(fā)噴霧式的EMI遮蔽技術(shù),期望達(dá)到降低生產(chǎn)成本及提高產(chǎn)量的雙重目標(biāo)。三星電子(Samsung Electronics)也在對EMI遮蔽工藝研發(fā)也孜孜不倦的進(jìn)行中,但應(yīng)該是遇到了些問題還待解決
據(jù)報導(dǎo),目前三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(xué)(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點(diǎn)膠機(jī)(Dispense)業(yè)者,共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進(jìn)行EMI遮蔽制程。其中,PROTEC與諾信負(fù)責(zé)研發(fā)設(shè)備;韓松化學(xué)與Ntrium負(fù)責(zé)研發(fā)液態(tài)遮蔽材料。研發(fā)完成后,三星電子就可在NAND Flash封裝覆蓋一層EMI遮蔽膜,并且對蘋果iPhone供貨。三星電子計劃在2017年達(dá)成這項(xiàng)目標(biāo)。三星跟賽普拉斯及ISSI等也有在做SRAM存儲芯片,不過三星SRAM存儲這一塊在2006年已經(jīng)授權(quán)給品牌NETSOL,由Netsol研發(fā)及生產(chǎn),并獲得不亞于三星的市場評價。

                                                        
 
 
目前存在的問題發(fā)現(xiàn)銀與CNT仍無法均勻混和,不能做為噴霧使用,預(yù)計無法用于商業(yè)化,導(dǎo)致自主研發(fā)噴霧方式的計劃擱置
 
半導(dǎo)體芯片SRAM存儲等一直以屏蔽罩方式阻斷EMI,近年來隨著半導(dǎo)體芯片性能技術(shù)提高,逐漸走向個別芯片均需EMI遮蔽處理,因此可預(yù)防芯片間電磁干擾引發(fā)的異常動作,電路板在設(shè)計上更加精密,芯片間距縮小后多出來的空間,可用于擴(kuò)充電池容量,延長待機(jī)時間,然而增加新工藝必將增加主要芯片生產(chǎn)成本。
 
所謂的濺鍍式和噴霧式到底是什么東西, LGA是指在封裝的底部有針腳的樣式,在裝配PCB線路板時,針腳與電路板的插孔緊緊貼合,所以EMI遮蔽工藝只需在上半部進(jìn)行完成。蘋果iPhone手機(jī)的NAND Flash封裝是采LGA(Land Grid Array)。而EMI遮蔽多采濺鍍(Sputtering)方式,將超薄金屬遮蔽材料覆蓋表面。濺鍍機(jī)利用物理方式將材料在目標(biāo)表面選擇性蒸鍍1層均勻薄膜,但處理速度不快,
 

                                                       

在三星電子看來,按趨勢未來NAND Flash采用BGA(Ball Grid Array)形式封裝,底部是呈現(xiàn)球體 (Ball),若以濺鍍方式進(jìn)行EMI技術(shù)進(jìn)行遮蔽,會產(chǎn)生較多空隙不夠完整的包裹,而以噴霧式(Spray)工藝進(jìn)行EMI遮蔽,則可以將BGA的球體完全包裹。噴涂設(shè)備在價格上比濺鍍機(jī)便宜。一組濺鍍機(jī)的設(shè)備若要50億韓元(約438.20萬美元),噴涂設(shè)備只需7~8億韓元即可購得。再加上用于噴涂的材料價格相對便宜,可節(jié)省制程費(fèi)用。在市面上由于內(nèi)存大量的供給,業(yè)界基本上考慮采用噴霧式EMI遮蔽技術(shù)。
 
目前噴霧式EMI遮蔽是臺灣日月光集團(tuán)持有的核心專利,這也是三星電子、SK海力士考慮自行研發(fā)噴霧式EMI遮蔽技術(shù)的主要原因。

 


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