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MRAM進(jìn)駐MCU,28nm下將無閃存?

2018-06-21 11:38:38


隨著越來越多具成本效益的應(yīng)用選擇磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM),不僅為其帶來了成長動(dòng)能,業(yè)界生態(tài)系統(tǒng)也開始支持這一新興內(nèi)存選擇。

eVaderis最近發(fā)布一項(xiàng)超低功耗MCU參考設(shè)計(jì)的共同開發(fā)計(jì)劃,采用格芯(Globalfoundries)基于22nm FD-SOI (22FDX)平臺的嵌入式MRAM技術(shù)。兩家公司正尋求支持一系列的低功耗應(yīng)用,例如以電池供電的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)產(chǎn)品、消費(fèi)和工業(yè)MCU,以及汽車控制器。

Globalfoundries近來積極經(jīng)營MRAM領(lǐng)域,它是少數(shù)幾家公開宣布在2017年底前至2018年量產(chǎn)MRAM的代工廠之一,并且也已經(jīng)與Everspin Technologies展開深入合作——Everspin Technologies是第一家從新興MRAM獲得商業(yè)動(dòng)能的制造商。在2017年于日本舉行的國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)、系統(tǒng)暨應(yīng)用研討會(VLSI-TSA 2018)上,Globalfoundries在一篇技術(shù)論文中描述了Everspin將eMRAM推向22nm制程節(jié)點(diǎn)的進(jìn)展,以及它如何為嵌入應(yīng)用大幅提升數(shù)據(jù)保留效能。同時(shí),Spin Transfer Technologies (STT)近期在商用化MRAM技術(shù)方面也取得了進(jìn)展。

eVaderis透過Globalfoundries的FDXcelerator合作伙伴計(jì)劃設(shè)計(jì)其MCU技術(shù),并有效利用22FDX平臺的高效率電源管理功能。eVaderis總裁兼執(zhí)行長Jean-Pascal Bost在接受《EE Times》電話采訪時(shí)表示,使用Globalfoundries的eMRAM用于讓eVaderis MCU的各個(gè)部份頻繁地上電,而不會導(dǎo)致典型的MCU性能損失,較上一代MCU的電池壽命更高10倍以上,芯片尺寸也大幅縮小。

eVaderis在eMRAM MCU方面的進(jìn)展反映該公司的預(yù)測:新興內(nèi)存將在2016年取得明顯成長動(dòng)能,而不再等待業(yè)務(wù)到位。eVaderis于2014年成立。Bost表示該公司的目標(biāo)在于以MRAM與RRAM等顛覆性的嵌入式內(nèi)存技術(shù)為基礎(chǔ),提供創(chuàng)新IP解決方案。目前該公司有三大內(nèi)部團(tuán)隊(duì),分別專注于設(shè)計(jì)自動(dòng)化、制作工具以及系統(tǒng)。

整體而言,eVaderis期望能將某一種內(nèi)存制程移植到另一種,從一家代工廠移植到另一座代工廠。eVaderis創(chuàng)辦人兼副執(zhí)行長Virgile Javerliac說,該公司目前主要專注于為MRAM和RRAM等內(nèi)存開發(fā)高效率IP。

Bost說,自公司最初成立以來,許多情況已經(jīng)發(fā)生變化了。“五年前,我們認(rèn)為必定會在40nm時(shí)面對閃存的挑戰(zhàn),而今情況并非如此。三家主要的代工廠都采用MRAM作為28nm及以下節(jié)點(diǎn)的非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案,而且這些節(jié)點(diǎn)都不會再有閃存。這對我們來說是個(gè)好消息。”
 
eVaderis專注于具顛覆性的嵌入式NVM的產(chǎn)品,例如可提供類似嵌入式SRAM和DRAM性能的自旋傳輸力矩磁性隨機(jī)內(nèi)存(STT-RAM)和電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(RRAM)。

Javerliac表示,位級的讀寫能力以及讓客戶直接存取編譯程序,有助于縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。相較于宏觀層面的閃存,目前采用MRAM已能在邏輯層面工作了。“你可以在CPU中啟用特定類型的功能。”他說,與Flash不同的是,你可以將技術(shù)分配用于整個(gè)系統(tǒng)中。

Bost說,eVaderis早期曾經(jīng)進(jìn)行了大量的客戶訪談,目的在于了解對于MRAM和RRAM的性能期待。PRAM帶來了一些新的市場興趣,因?yàn)樗宫F(xiàn)出可能成為某些應(yīng)用的理想解決方案。他說:“這兩種技術(shù)都有發(fā)展空間。但很顯然,最大的市占率將會屬于MRAM。”

eVaderis與GlobalFoundries共同開發(fā)使用eMRAM的22FDX參考設(shè)計(jì),預(yù)計(jì)將在今年第四季上市。制程設(shè)計(jì)套件現(xiàn)已上市,采用多計(jì)劃晶圓的22FDX eMRAM客戶原型已在開發(fā)中。

Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示,迄今為止,在MCU上采用這些新興內(nèi)存并不普及,主要是因?yàn)檫@些新技術(shù)比起NOR閃存或SRAM的成本更高。他說:“隨著制程微縮超過14nm,預(yù)計(jì)將會發(fā)生變化,因?yàn)镹OR無法再使用,而SRAM也開始變得越來越大。”

Handy表示,eVaderis支持低功耗MRAM的低功耗MCU聽起來與電池供電設(shè)備非常相稱。“MRAM比閃存更能持久儲存數(shù)據(jù)。然而,無論是NAND還是NOR,閃存的寫入都會長時(shí)間耗電,"強(qiáng)制預(yù)擦除更是耗電。”

他認(rèn)為,MRAM和其他新興非揮發(fā)性技術(shù)的特點(diǎn)之一在于編程人員能夠靈活地使用內(nèi)存。“他們不再需要將程序代碼限制在NOR的大小或限制數(shù)據(jù)只能在SRAM的大小,”Handy說: “這不僅簡化了設(shè)計(jì),而且透過讓同樣基于MRAM的MCU用于多種應(yīng)用中,可為某些客戶節(jié)省成本


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