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Everspin即將打造千兆級芯片ST-MRAM

2018-06-11 14:55:19


磁性隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)將在今年達(dá)到一個(gè)新的里程碑。Everspin宣布開始嘗試打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片,另外他們已經(jīng)將這款高壽命、非易失性的內(nèi)存芯片生產(chǎn)提上議程。 Everspin的ST-MRAM能夠提供持久的記憶能力,相較于普通的NAND閃存技術(shù),它可以減少寫入放大倍數(shù)并擁有更好的耐用性。
 
這款新芯片采用的則是一個(gè)兼容DDR4的接口。這家公司表示,供應(yīng)商可以利用持久的記憶技術(shù)設(shè)計(jì)企業(yè)級SSD或?qū)ΜF(xiàn)有的儲(chǔ)存產(chǎn)品展開進(jìn)一步的改善。
 
據(jù)了解,ST-MRAM的密度要比公司旗下現(xiàn)有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin指出,從Global Foundries的40nm工藝到foundry 28nm工藝的轉(zhuǎn)變是開發(fā)這種千兆級芯片的關(guān)鍵,另外它還展示了公司垂直磁性隧道結(jié)(pMTJ)的可擴(kuò)展性。
 
首批配備Everspin全新千兆MRAM芯片的產(chǎn)品之一將來自Smart Modular公司。該公司計(jì)劃發(fā)布一款NVMe PCIe硬盤,它的重量和長度都將減半,其將用于元數(shù)據(jù)緩存和儲(chǔ)存加速應(yīng)用。Smart Modular表示,該產(chǎn)品單元在4K隨機(jī)讀寫測試中能夠達(dá)到1500K IOPS。
 

本文關(guān)鍵詞:Everspin
 
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