Everspin 4Mb并行MRAM芯片MR2A16AYS35
2018-05-25 14:36:44
Everspin Technologies公司是全球領(lǐng)先的分立和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的設(shè)計，制造領(lǐng)導(dǎo)者，其市場和應(yīng)用領(lǐng)域的數(shù)據(jù)持久性和完整性 ，低延遲和安全性至關(guān)重要。 憑借在數(shù)據(jù)中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車和運(yùn)輸市場部署的超過7000萬個MRAM和ST-MRAM產(chǎn)品，Everspin建立了世界上MRAM用戶最強(qiáng)大，發(fā)展最快的基礎(chǔ)。
這款4Mb MRAM的引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR2A16A目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)自動化、機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)儲存、多功能打印機(jī)、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設(shè)計的系統(tǒng)。
MR2A16A采用400-mil、44引腳薄小外形TSOP2封裝，或8 mm x 8 mm 48引腳球柵陣列 (BGA) 封裝（球中心距為0.75mm）。這兩種封裝形式均與較小的低功耗SRAM以及其他非易失性RAM兼容。
特性
256K x 16 MRAM存儲器 (MR2A16A)
35ns的快速讀/寫周期
SRAM兼容時序，采用現(xiàn)有的SRAM控制器，而無需重新設(shè)計
出色的耐讀/寫能力
在工作溫度范圍內(nèi)數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會丟失
一個存儲器即可替代系統(tǒng)中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM，獲得更簡單、高效的設(shè)計
用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，無需組裝電池，也了提高可靠性
3.3V電源
掉電時提供自動數(shù)據(jù)保護(hù)功能
商業(yè)、工業(yè)以及汽車級溫度范圍
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的SRAM TSOPII封裝
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的SRAM BGA封裝，電路板面積縮小3倍
?型號表如下
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +125℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
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