3D NAND是對閃存單元層進行垂直向上堆疊，類似于微型摩天大樓，近期有報道稱3D NAND今年將成為全閃存內存的重要技術。
        據一家分析機構最新預測，NAND閃存制造商已經把重點放在將其制造廠改造成3D NAND芯片制造廠，而與傳統(tǒng)2D NAND相比，3D NAND生產速度更快，成本更低、密度更高。
        BiCS (Bit Cost Scaling)是西部數(shù)據聯(lián)合東芝用來生產固態(tài)硬盤及其它NAND閃存產品的一種垂直疊加或是3D技術。它們最新的內存每單元可存儲3比特位數(shù)據并且可以將這些單元向上疊加64層之高。
        該分析機構報道稱，為追隨一馬當先的3D NAND制造商三星和美光的腳步，大多數(shù)NAND閃存供應商將在2017年下半年開始大批量生產64層3D NAND芯片。
        今年年初，西部數(shù)據與合作伙伴東芝開始生產64層NAND閃存產品，業(yè)內密度最大，每單元可存儲3比特數(shù)據。
        這些3D NAND閃存芯片是基于一種西部數(shù)據和東芝稱為BiCS的垂直疊加或3D技術。西部數(shù)據已經對基于64層NAND閃存技術的首批512GB 3D NAND芯片進行了小批量生產。西部數(shù)據64層產品的取樣將在5月底開始，今年下半年初期將會進行大批量生產。
         對于企業(yè)來說，3D NAND的批量生產代表著它們用于數(shù)據中心和工作站的非易失性存儲價格將會更加便宜。
不過DRAMeXchange表示，即便3D NAND產品增加，整體的NAND閃存支持也會由于蘋果新一代iPhone推出所需的組件庫存以及SSD供應商的穩(wěn)定需求，預計今年仍保持緊張態(tài)勢。
         3D NAND現(xiàn)在構成了三星和美光各自NAND閃存產出的一半以上。SK海力士正在準備推出72層NAND芯片。據報道指出，SK海力士為了追趕業(yè)內領先廠商，決定在今年下半年開始大批量生產72層芯片。
        DRAMeXchange認為，三星在3D NAND技術競爭中仍處于上風。該公司的48層芯片被廣泛應用于客戶端SSD、企業(yè)級以及移動NAND產品。
        而三星在韓國平澤市新建的制造廠也已經完成了設備安裝，預計將于今年7月份開始生產64層閃存芯片。美光是排名僅次于三星的第二大3D NAND供應商，同時該技術占其整體NAND閃存產出的50％以上。美光目前受益于使用其32層存儲芯片以及擁有強大的自有品牌固態(tài)硬盤發(fā)貨量的主要內存模塊制造商。

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