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高速讀寫非易失性鐵電存儲器FeRAM

2024-08-29 10:39:47

    FeRAM鐵電存儲器是通過利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲。將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起。FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器(如EEPROM、閃存)相比,F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
 
    FeRAM技術(shù)特點:
 
    非易失性:FeRAM最顯著的特點是其在斷電后數(shù)據(jù)不會丟失,是非易失性存儲器;
    高速讀寫:FeRAM的讀寫速度相對較快,存取時間通常在50ns左右,循環(huán)周期約為75ns,這使得它在需要快速數(shù)據(jù)訪問的場合具有優(yōu)勢;
    壽命長:FeRAM具有較高的讀寫耐久性,通常能夠達(dá)到數(shù)十億次的讀寫循環(huán),遠(yuǎn)超過傳統(tǒng)的EEPROM和閃存;
?    低功耗:由于FeRAM在存儲數(shù)據(jù)時不需要額外的電源來維持?jǐn)?shù)據(jù)狀態(tài),因此功耗相對較低;
?    可靠性高:兼容CMOS工藝,工作溫度范圍寬,可靠性高。
 
    FeRAM存儲密度較低、容量有限,雖無法完全取代DRAM與NANDFlash,但在對容量要求不高、讀寫速度和頻率要求高、使用壽命要求長的場景中擁有發(fā)展?jié)摿?,適用于智能手表、智能卡、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等消費電子領(lǐng)域,以及汽車和工業(yè)機器人領(lǐng)域。
 
 
本文關(guān)鍵詞:FeRAM,FRAM

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